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摘 要:具有WSA位敏结构的自供电半导体光电催化器件属于光电催化技术领域。现有半导体光电催化器件不能在日照时间的推移过程中,保持其催化净化效果始终处在最佳状态。本发明其特征在于,在P‑N+硅片的N+区表面交叉分布一组楔形阳极W和一组条形阳极S,楔形阳极W与条形阳极S之间的部分为第三阳极A,楔形阳极W、条形阳极S、第三阳极A由楔形阳极沟道、条形阳极沟道分隔;楔形阳极沟道、条形阳极沟道的沟道宽度a为100~120μm,沟道底部位于P‑区,沟道位于P‑区部分的深度b为50~120μm,在沟道底部分布半导体纳米线光电催化层,半导体纳米线光电催化层的厚度为1~2μm;P‑区至N+区掺杂浓度由稀变浓。本发明能够利用WSA位敏结构使得半导体光电催化器件跟踪日光,确保光能接收量。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201811446640.X | 专利名称: | 具有WSA位敏结构的自供电半导体光电催化器件 |
申请日: | 2018-11-29 | 申请/专利权人 | 长春理工大学,长春市洁环光电科技有限公司 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 吉林省长春市朝阳区卫星路7089号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/00搜分类 电力 器件搜索 |
公开/公告日: | 2021-10-01 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN109467159B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |