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摘 要:本发明涉及新型衬底材料技术领域,提供了一种高导热率半导体衬底,所述高导热率半导体衬底中半导体基底背面为连续沟槽结构,所述连续沟槽结构的内表面被类金刚石薄膜覆盖;所述连续沟槽结构的深度为8~12μm。本发明将高导热率半导体衬底的沟槽结构设计成连续的,然后在连续沟槽的内表面覆盖类金刚石薄膜,利用类金刚石薄膜的高热导特性以及连续沟槽结构,使得本发明提供的半导体衬底在具有纵向高效散热的同时,兼具横向散热的优势,有效提高了半导体衬底的导热效率。本发明提供的半导体衬底在纵向及横向均能高效散热,大大提高了散热效果。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201911421077.5 | 专利名称: | 一种高导热率半导体衬底及其制备方法和应用 |
申请日: | 2019-12-31 | 申请/专利权人 | 长春理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 吉林省长春市朝阳区卫星路7089号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L23/373搜分类 半导体 底搜索 |
公开/公告日: | 2021-07-06 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN111009497B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |