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摘 要:本发明提供了一种低应力高导热半导体衬底及其制备方法,属于半导体技术领域。本发明提供的半导体衬底中,背面设置有周期分布排列的孔洞,且填充有弹性纳米导热材料,所制备的焊料层将弹性纳米导热材料密封在衬底基体背面所制备的孔洞中,器件通电工作时,会产生大量的热,孔洞在受热膨胀后会变小,弹性纳米导热材料受到挤压时仍能够与焊料保持良好接触,并给芯片膨胀留有足够的空间,使芯片膨胀时仍能够与焊料保持很好的接触,减小了芯片与所填充的弹性纳米导热材料的热应力,也减少了芯片本身受热膨胀的应力,且能够保持高散热能力。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201911411778.0 | 专利名称: | 一种低应力高导热半导体衬底及其制备方法 |
申请日: | 2019-12-31 | 申请/专利权人 | 长春理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 吉林省长春市朝阳区卫星路7089号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01S5/02搜分类 半导体 底 低 港口搜索 |
公开/公告日: | 2021-07-06 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN111082307B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |