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摘 要:本发明一种单晶硅基异质结太阳能电池及其制备方法,所述电池包括依次层叠的ITO层、a‑Si p层、a‑Si i层、基底、a‑Si i层、a‑Si n层和ITO层,以及在ITO层和a‑Si p层间插入高掺杂的a‑Si p+层,或在ITO层和a‑Si n层间插入高掺杂的a‑Si n+层。所述方法将基底在等离子增强化学气相沉积设备中,分步进行异质结太阳能电池的a‑Si i层、a‑Si n层和a‑Si p层沉积;在电池的a‑Si p/ITO层界面或a‑Si n/ITO层界面中沉积高掺杂的a‑Si p+层或高掺杂的a‑Si n+;最后沉积ITO电极得到硅基异质结太阳能电池。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201610785368.2 | 专利名称: | 一种单晶硅基异质结太阳能电池及其制备方法 |
申请日: | 2016-08-30 | 申请/专利权人 | 陕西师范大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市长安南路199号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/0352搜分类 太阳能 硅 港口 单晶搜索 |
公开/公告日: | 2018-10-26 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN106206781B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |