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摘 要:本发明公开了一种提高SiC功率芯片键合线功率循环能力的方法,通过在SiC功率芯片表面形成具有若干金属图形的金属层,使得键合后键合点与芯片表面铝金属化形成三维连接结构,提升芯片功率循环能力。金属图形为条状,金属层厚度小于或等于键合线直径,金属图形之间的间距大于键合线直径。本发明在不改变键合工艺的情况下提升了键合线功率循环能力,提高器件使用寿命。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202010584587.0 | 专利名称: | 一种提高SiC功率芯片键合线功率循环能力的方法 |
申请日: | 2020-06-24 | 申请/专利权人 | 西安理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市碑林区金花南路5号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L21/48搜分类 集成电路 C IC搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |