专利名称：一种IC卡电表用电表箱      申请号：2023214500055     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：电能表 C IC   相似专利 发布日：2023/11/20  
摘要： 本实用新型公开了一种IC卡电表用电表箱，涉及电表箱技术领域，包括主体，所述主体的正面设置有密封组件，所述密封组件包括箱门，所述箱门转动连接在主体的正面，所述箱门的一侧固定安装有合页，所述箱门的另一侧固定连接有密封板，所述箱门的正面固定安装有拉板，所述箱门的正面固定安装有密码锁，所述密码锁的正面嵌入安装有显示屏，所述主体的顶部设置有防护组件，所述防护组件包括底板。本实用新型密码锁固定安装在箱门的正面，密封板固定连接在箱门的一侧，密码锁能够将箱门进行固定，便于实现一户一表，防止他人恶意损坏电表，提高了电表使用的安全性，密封板能够提高箱门的密封性，提高电表的保护效果同时提高电表的使用年限。

专利名称：一种SiC颗粒增强铝基复合材料的制备方法及装置      申请号：201810020980X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：复合材料 C IC   相似专利 发布日：2023/10/23  
摘要： 本发明公开一种SiC颗粒增强铝基复合材料的制备方法及装置，属于金属基复合材料领域。本发明所述方法采用SiC粉为增强体、Mg粉为助渗剂，将SiC粉和Mg粉干燥后充分混合均匀、振动，混合粉在氮气气氛中加热让Mg粉与氮气反应生成Mg3N2蒸镀到SiC颗粒表面；铝合金熔化、保温，在液压作用下渗流到氮气保护的蒸镀‑渗流装置中的SiC颗粒间隙中，空冷后得到高体积分数SiC颗粒增强铝基复合材料。本发明制得的颗粒增强铝基复合材料，SiC的体积分数为50‑60％，SiC颗粒与铝合金熔体润湿性好，避免了SiC与铝的不良界面反应，制备工艺简单、成本低，可实现工业化生产。

专利名称：基于多阶段ICA-SVDD的间歇过程故障监测方法      申请号：2017105990548     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：过程 C IC   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 本发明公开了一种基于多阶段ICA‑SVDD的间歇过程故障监测方法。用于工艺机理复杂并存在多个操作阶段的间歇过程。针对一些间歇过程具有的多阶段性和数据分布非高斯性问题，采用一种改进的阶段划分和故障监测方法。首先根据各个时间片的相似度和K均值算法进行阶段划分，然后对各阶段分别利用独立成分分析方法提取出非高斯的特征信息，最后引入支持向量数据描述算法对独立成分和剩余的高斯残差空间分别建立统计分析模型，实现对整个过程的故障监测。应用于一个实际的半导体蚀刻过程的故障监测，结果表明该方法对多阶段间歇过程具有更佳的监测效果。

专利名称：基于MUSIC算法的双基地MIMO雷达角度估算方法      申请号：2017102049139     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：计算机软件 C IC   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 本发明公开了一种基于MUSIC算法的双基地MIMO雷达角度估算方法，其通过构建接收阵列数据在匹配滤波后的差分协方差矩阵，利用特征值分解的方法对协方差矩阵进行特征分解，获得噪声子空间的估计；并利用谱峰搜索中的极小值即可获得目标角度的估计；最后通过配对计算确定真实DOD值及所估计角度的配对。所述估算方法不仅对协方差矩阵具有厄米特对称Toeplitz类型的色噪声的具有明显的抑制效果，提高了双基地MIMO雷达角度估算的精度；还对MIMO雷达的阵列流形要求低，适用于均匀阵列和非均匀阵列配置；且相对二维MUSIC算法，本发明所述基于MUSIC算法的双基地MIMO雷达角度估算方法的计算复杂度低。

专利名称：一种基于引力搜索算法的MUSIC谱峰搜索方法      申请号：2018100942881     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：计算机软件 C IC   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 本发明提出一种基于引力搜索算法的MUSIC谱峰搜索方法，该方法将GSA算法和MUSIC算法相结合，具体方法是将MUSIC算法中的空间谱函数设为GSA算法的适应度函数，利用GSA算法优秀的全局寻优能力，迅速地找到空间谱函数的极值点，完成了对谱函数的空间搜索。仿真表明，该方法取得了较好的估计效果，在实验条件相同的情况下，与MUSIC算法中常用的均匀遍历法相比，该方法使得计算量大大降低。

专利名称：一种TiC/Ni复合材料的原位反应合成方法      申请号：2021100596128     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：复合材料 C IC   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 本发明涉及一种TiC/Ni复合材料的原位反应合成方法，它是将原料Ni粉、Ti粉和石墨按比例混合均匀，冷压成型后制成坯体，然后控制加热速率对坯体进行氩气保护常压烧结或者真空烧结，在一定的温度下各组分之间进行放热化学反应，生成弥散分布的微观增强颗粒。主要用于航空航天、军事领域、交通运输工具、电子元器件、燃料电池连接体、陶瓷切削刀具材料等领域。本发明中将TiC/Ni复合材料的原位反应与致密化一步到位，不需要高能球磨和加压烧结等复杂过程，工艺方便简单，不受设备限制，成本低，可以有效解决现有原位反应合成高致密度TiC/Ni复合材料技术受到设备限制，工艺复杂、成本高等问题。

专利名称：一种可见光响应产氢光催化剂GO/SiC/WO3的制备方法及应用     申请号：2019103773697     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：化工、助剂 C IC   相似专利 发布日：2023/10/17  

专利名称：一种提高SiC功率芯片键合线功率循环能力的方法      申请号：2020105845870     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：集成电路 C IC   相似专利 发布日：2023/09/20  
摘要： 本发明公开了一种提高SiC功率芯片键合线功率循环能力的方法，通过在SiC功率芯片表面形成具有若干金属图形的金属层，使得键合后键合点与芯片表面铝金属化形成三维连接结构，提升芯片功率循环能力。金属图形为条状，金属层厚度小于或等于键合线直径，金属图形之间的间距大于键合线直径。本发明在不改变键合工艺的情况下提升了键合线功率循环能力，提高器件使用寿命。

专利名称：一种基于公交IC卡数据计算公交断面客流量的方法      申请号：2017114498637     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：数据计算 C IC   相似专利 发布日：2023/09/20  
摘要： 本发明提供的一种基于公交IC卡数据计算公交断面客流量的方法，包括以下步骤：第一步，根据公交IC卡数据，获得每条公交线路的刷卡信息表；第二步，根据统计法统计刷卡信息表中某条公交线路在第i个站点的上车客流量Pi；第三步，根据式(1)计算该某条公交线路在第i个站点的下车客流量qi；第四步，根据式(10)计算该某条公交线路站点i至站点i+1之间的第k个断面的断面客流量Qk；采用本发明得到的理论断面客流与实际调查得到的断面客流的拟合优度R2∈[0.80‑0.95]，结果接近1，在误差允许的范围内，说明依据本发明所计算得到的理论断面客流与实际调查得到的断面客流拟合程度较好，充分说明本发明可靠性较高。

专利名称：一种含二茂铁基噻二唑或噁二唑基Mannich碱的制备方法      申请号：2019111314471     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：C IC   相似专利 发布日：2024/01/23  
摘要： 一种含二茂铁基噻二唑或噁二唑基Mannich碱的制备方法：向干燥的三口烧瓶中依次加入Amol的2-氨基5-取代-1，3，4-噻（噁）二唑、Bmol醛，无水乙醇，搅拌均匀；加入Cmol苯并咪唑离子液体，然后搅拌下慢慢滴加Dmol乙酰基二茂铁的无水乙醇溶液，滴完加热回流反应至结束。减压蒸除溶剂，剩余物中加入乙酸乙酯，抽滤，滤液蒸干即得粗品，粗品经无水乙醇重结晶得含二茂铁基噻二唑或噁二唑基Mannich碱。滤饼即苯并咪唑离子液体，可回收重复使用。其中，A:B:C:D＝1：（5~10）：（0.5~1.5）:1。本发明方法绿色环保，操作简便，后处理简单，产率高，效率高，催化剂可回收利用多次，反应成本低。

专利名称：一种基于ICS-SVM分析用户转发行为的预测方法及系统      申请号：2019101148850     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：C IC   相似专利 发布日：2023/07/10  
摘要： 本发明请求保护一种基于ICS‑SVM分析用户转发行为的预测方法及系统，属于社交网络分析领域。首先获取数据集。其次，定义影响因素。利用从真实社交网络‑腾讯微博中获取的数据，提取用户内部影响机制和外界影响机制。优化CS算法。根据推导公式，使搜索步长能够自适应的动态调整。针对用户的转发行为随时间变化的特点，本发明利用时间切片的方法，并利用ICS‑SVM模型预测用户转发行为，这样能够弥补传统布谷鸟算法优化SVM参数的缺点，且提高传统支持向量机的预测精度。本发明能够更加精确地预测用户转发行为，并分析热点话题的传播趋势。

专利名称：一种防水效果好的电源IC      申请号：2022222258379     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：电源 果 C IC   相似专利 发布日：2022/12/05  
摘要： 本实用新型公开了一种防水效果好的电源IC，包括基底层，所述基底层的内腔开设有安装槽，所述安装槽的内腔设置有芯片，所述芯片的一侧固定连接有引脚，所述引脚远离芯片的一侧贯穿安装槽的内腔并延伸至基底层的外部，所述基底层的顶部固定连接有封装壳，所述封装壳包括密封层。本实用新型通过基底层、安装槽、芯片、引脚、封装壳、密封层、导热层和防水层的配合使用，能够有效的解决传统电源IC在使用的过程中，防水效果较差，导致外界水分进入电源的内部，导致电源容易出现损坏的现象，同时散热导热性较差，无法满足使用使用需求的问题，该电源IC能够起到有效防水功能的同时，具备高效的导热散热性能，提高了电源IC的使用寿命。

专利名称：一种Ti3SiC2/Ag复合导电粉体的制备方法      申请号：201710404501X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：C IC   相似专利 发布日：2023/04/04  
摘要： 本发明公开的Ti3SiC2/Ag复合导电粉体的制备方法，其步骤为：步骤1、对Ti3SiC2粉体依次进行醇洗、粗化、敏化、活化、水洗以及烘干处理，得到预处理Ti3SiC2粉体；步骤2、分别配制银氨溶液和还原液；步骤3、利用步骤2得到的银氨溶液和还原液对经步骤1得到的预处理Ti3SiC2粉体进行银氨镀；步骤4、对经步骤3镀覆后剩余的物质进行过滤，对滤掉液体后剩余的部分进行烘干处理，得到Ti3SiC2/Ag复合导电粉体。本发明的制备方法，能制备出具有较低密度、良好稳定性以及高导电性的Ti3SiC2/Ag复合导电粉体。

专利名称：一种Ti3SiC2/Cu复合导电粉体的制备方法      申请号：2017104037899     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：C IC   相似专利 发布日：2022/11/15  
摘要： 本发明公开的一种Ti3SiC2/Cu复合导电粉体的制备方法：其步骤为：步骤1、对Ti3SiC2粉体依次进行醇洗、粗化、敏化、活化、水洗以及烘干处理，得到预处理Ti3SiC2粉体；步骤2、利用CuSO4·5H2O、EDTANa2、NaOH及2‑2'‑联吡啶配制出铜镀液；步骤3、利用经步骤2配制出的铜镀液对经步骤1得到的预处理Ti3SiC2粉体进行镀覆处理；步骤4、经步骤3后，对镀覆处理后剩余的物质进行过滤，对滤掉液体后剩余的部分进行烘干处理，得到Ti3SiC2/Cu复合导电粉体。利用本发明的制备方法得到的Ti3SiC2/Cu复合导电粉体具有较低的密度、良好的稳定性以及高导电性。

专利名称：一种含二茂铁基噁二唑基Mannich碱的制备方法      申请号：2017104647207     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：C IC   相似专利 发布日：2022/11/07  
摘要： 本发明提供了一种含二茂铁基噁二唑基Mannich碱的制备方法。将A mol 2‑氨基‑5‑取代‑1,3,4‑噁二唑、B mol取代醛、E mol催化剂与溶剂无水乙醇加入到带有回流冷凝管的干燥三口烧瓶中，加入C mol乙酰基二茂铁的无水乙醇溶液，在室温下进行反应，反应时间为3～6h，其中A:B:C:E＝(0.7～1):(1～45):1:(1.1～1.5)，反应结束后，将反应混合液减压蒸馏蒸除溶剂，经柱色谱即得含二茂铁基噁二唑基Mannich碱。本发明操作简单，反应条件温和，设备要求低，产品纯度高，所用催化剂为硝酸铋，廉价易得。

专利名称：一种碳/碳复合材料SiC内涂层的制备方法      申请号：201610421737X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：复合材料 C IC   相似专利 发布日：2024/01/23  
摘要： 一种碳/碳复合材料SiC内涂层的制备方法，将碳/碳复合材料为基体试样，将碳/碳试样经两步喷砂处理，并经预氧化，用按一定摩尔质量比配制的SiO2：Si：C粉料包埋并在氩气气氛下反应得到SiC内涂层。本发明具有工艺简单、制备周期短、成本低、无尾气且该方法能够获得厚度均匀SiC内涂层的优势。另外，本发明制备的SiC内涂层与外涂层结合良好，涂层表面具有SiC纳米线且涂层呈网络多孔结构。

专利名称：一种两步法制备SiC增强可溶解铝合金材料的工艺      申请号：2017100108255     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：铝合金 金属材料 工艺 C IC   相似专利 发布日：2023/08/21  
摘要： 一种两步法制备SiC增强可溶解铝合金材料的工艺，第一步采用原位合成法通过真空热压炉烧结得到铝基SiC颗粒；第二步采用熔融浇铸法，在感应加热炉中依次加入铝基60‑90wt％、预制合金和第一步制备出的铝基SiC增强体2‑30vol％，得到可溶解铝合金材料；本发明具有优良的机械性能及化学稳定性。

专利名称：一种复式双连续相SiC/Si复合材料的制备方法      申请号：2015107424235     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：复合材料 C IC   相似专利 发布日：2023/08/21  
摘要： 本发明公开了一种复式双连续相SiC/Si复合材料的制备方法。首先，将氧化铁和SiC原料按照不同氧化铁添加量进行湿法混料，随后采用旋转蒸发仪进行干燥；将干燥后的粉体加入PVA进行造粒，干压成型后进行烧结获得不同气孔率定向多孔陶瓷。随后采用获得的定向多孔SiC陶瓷作为增强体，利用真空浸渗工艺制备复式双连续相SiC/Si复合材料。本发明采用氧化铁作为造孔剂制备定向多孔陶瓷为纯SiC陶瓷，具有结构定向分布特征，较为优异的高温性能，较高的孔筋密度和抗折强度，因而最终制备的复式双连续相SiC/Si复合材料较高的孔筋密度和抗折强度，大大优于应用于装甲材料的反应烧结法制备的SiC/Si复合材料，具有较好地应用前景。

专利名称：一种身份认证系统的智能终端IC卡授权与管理方法     申请号：2017101771255     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：身份认证 C IC   相似专利 发布日：2024/06/26  

专利名称：一种ICU科临床用工具盒     申请号：2020229728060     转让价格：面议  收藏
法律状态：授权未缴费   类型：实用新型   关键词：家具 医疗 工具 C IC   相似专利 发布日：2021/07/28