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摘 要:本发明公开了一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池及其制备方法。该晶硅太阳电池包括正面电极、正面钝化层、N型硅掺杂层、P型硅基体、背面钝化层及背面电极,背面钝化层形成于P型硅基体背面,背面电极形成于背面钝化层上且局部穿过背面钝化层而和P型硅基体形成欧姆接触,N型硅掺杂层形成于P型硅基体的正面,N型硅掺杂层上形成有图形化的氧化硅薄层,氧化硅薄层上覆盖形成有N+型多晶硅层,正面电极透过正面钝化层并形成在N+型多晶硅层的上表面上和N+型多晶硅层形成欧姆接触。本发明在减小非金属接触区域复合速率的同时,进一步减小金属接触区域的复合速率。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201910904174.3 | 专利名称: | 正面局域钝化接触的晶硅太阳电池及其制备方法 |
申请日: | 2019-09-24 | 申请/专利权人 | 苏州腾晖光伏技术有限公司,常熟理工学院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省苏州市常熟市沙家浜常昆工业园 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/0216搜分类 电池 硅 港口搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |