发明专利 已授权

一种基于跨导线性环路技术的高阶带隙基准电路

📄 申请号:CN202010909584.X 📄 发布日:2026/07/23

著录项目信息

申请日
2020-09-02
公开号
CN112034921A
公开日
2020-12-04
申请人
重庆邮电大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

集成电路设计, 电源管理芯片, 高精度模拟芯片, 数据转换器, 传感器接口电路

摘要

本发明请求保护一种基于跨导线性环路技术的高阶带隙基准电路,包括启动电路、一阶带隙基准电路、高温区域分段补偿电路以及低温区域分段平方电流产生电路。本发明的高温区域分段补偿电路在高温区域产生正温度系数的分段曲率电流I14并提供补偿电压VNL1,低温区域分段平方电流产生电路在低温区域产生负温度系数的分段曲率电流I28,利用NMOS管M30、NMOS管M31、NMOS管M36及NMOS管M37构成的跨导线性环路电路以及电流I28在低温区域产生正比于 的分段平方电流I43并提供补偿电压VNL2,电压VNL1与电压VNL2分别对带隙基准电压进行高阶温度补偿,提高了带隙基准电压的温度特性,从而实现一种基于跨导线性环路技术的高阶带隙基准电路。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

20220503
✅ 授权
20201222
?? 实质审查的生效 :
20201204
📄 公开

同领域国内专利 · IPC: (G05F1_567)

¥16000.0 元
不含过户费

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