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| 专利/申请号： | CN202010909584.X | 专利名称： | 一种基于跨导线性环路技术的高阶带隙基准电路 |
| 申请日： | 2020-09-02 | 申请/专利权人 | 重庆邮电大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 重庆市南岸区南山街道崇文路2号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | G05F1/567分类检索 其他专利转让搜索 |
| 公开/公告日： | 2020-12-04 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN112034921A | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要：本发明请求保护一种基于跨导线性环路技术的高阶带隙基准电路，包括启动电路、一阶带隙基准电路、高温区域分段补偿电路以及低温区域分段平方电流产生电路。本发明的高温区域分段补偿电路在高温区域产生正温度系数的分段曲率电流I14并提供补偿电压VNL1，低温区域分段平方电流产生电路在低温区域产生负温度系数的分段曲率电流I28，利用NMOS管M30、NMOS管M31、NMOS管M36及NMOS管M37构成的跨导线性环路电路以及电流I28在低温区域产生正比于 的分段平方电流I43并提供补偿电压VNL2，电压VNL1与电压VNL2分别对带隙基准电压进行高阶温度补偿，提高了带隙基准电压的温度特性，从而实现一种基于跨导线性环路技术的高阶带隙基准电路。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2022/05/03 | 授权 | |
| 2020/12/22 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): G05F 1/567 专利申请号: 202010909584.X 申请日: 2020.09.02 |
| 2020/12/04 | 公开 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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