本发明适用于集成电路技术领域，提供了一种具有输出级加速功能的电压比较器，包括偏置电路、两级比较器和加速电路；偏置电路作用于两级比较器和加速电路，提供电压偏置；两级比较器包括第一级比较电路和第二级比较电路；加速电路包括加速通路、第一加速支路和第二加速支路；本发明提供的具有输出级加速功能的电压比较器，可以提升两级比较器的输出从高电平翻转为低电平时的速度。
📄 2020114529302
📂 H03K5_24
👤 西南大学
📅 2020-12-11
本发明请求保护一种低功耗快速动态比较器，属于微电子技术领域。包括预放大器、比较电路及锁存器，所述预放大器的信号输出端接所述比较电路的信号输入端，所述比较电路的信号输出端接所述锁存器的信号输入端；本发明采用PMOS管构成体二极管结构降低电路的动态功耗，体二极管的栅极接偏置电压端，通过偏置电压调节体二极管的压降，调节比较器的速度，降低电路延时；采用两个背靠背交叉耦合的晶体管作预放大器的负载，提高预放大器的增益，预放大器的两输出端接时钟信号控制的传输门，克服电路电荷失调影响比较器速度的问题；比较电路采用背靠背交叉耦合连接的两反相器构成正反馈的结构，提高比较精度，使系统在一个稳定状态下工作。
📄 2021115205108
📂 H03K5_24
👤 重庆邮电大学
📅 2021-12-13
本发明请求保护一种高速低功耗的比较器电路，包括输入管、偏置管(2)、动态锁存电路、重置管、反相器。本发明目的在于提高比较器的速度和降低功耗。创新在于使用NMOS管(M1,M2)作为输入将两个比较电压转化为电流并直接输入锁存电路以降低比较器延时，将电流输入级与动态锁存器输出级分离以降低功耗，采用互补反相器(M5,M6,M7,M8)作为动态锁存器，将电流差值进一步放大形成互补电流，M3,M4提供稳定的偏置电路，并将电流转化为电压，通过反相器输出，从而实现一种高速低功耗的比较器电路。
📄 2018113537198
📂 H03K5_22
👤 芯云凌(重庆)电子科技有限公司
📅 2018-11-14
本发明公开了一种低功耗恒定跨导轨对轨运算放大器，包括输入级，输入级由N/P型互补差分对和P型跨导恒定控制结构连接构成，输出级采用浮动电流源的互补推挽式AB类，输入级与输出级之间还设置有共源共栅求和电路，共模信号经输入级将共模电压信号转换成电流信号，实现信号的初步放大和对共模噪声的抑制，再经过中间级共源共栅求和电路进行电流的求和放大，将放大后的电流信号转换成电压信号传送到输出级，最后经互补推挽式AB类输出级对电压信号进行宽摆幅输出。本发明在简化电路和不增加额外功耗的前提下，提高输入级的跨导恒定性能。
📄 2020101824447
📂 H03F1_02
👤 西安理工大学
📅 2020-03-16
本发明公开了一种模拟域高级数TDI加速电路，以全差分运放作为OPA的模拟域TDI电路利用摆率增强技术(SRE，slew rate enhancement)实现缩输出短建立时间的技术。通过利用OPA的输入VIN+与VIN‑在输出建立初期的压差较大，将其输入OTA产生短时的大电流流入OPA的输出来加速其输出建立，同时当OPA的输出进入小信号区时，因压差降低而关断加速电路，该加速方案有效的缩短了模拟域TDI图像传感器的输出建立的压摆区时间。
📄 2021109152349
📂 H04N25_76
👤 西安理工大学
📅 2021-08-10
本发明提出一种具有失调消除以及非线性补偿的带隙基准电压源,包括带隙基准电压源，带隙基准电压源内设有带隙基准电压源电路，带隙基准电压源电路包括传统带隙电路、运放核心电路、负温度系数电流产生电路、非线性补偿产生电路、启动电路以及偏置电路，传统带隙电路结构包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、MN22MOS管、Q1晶体管、Q2晶体管以及带隙基准电压源输出端口Vref，本发明采用传统带隙电路结构对输出电压进行一阶线性补偿，利用负温度系数电流以及三极管产生非线性补偿项，通过具有失配消除的四输入运算放大器进行非线性补偿，实现高精度及低温度系数，并保证带隙基准电压源在稳态时的高电源抑制比。
📄 2022103222094
📂 G05F1_567
👤 西安理工大学
📅 2022-03-30
一种提升电源抑制比的带隙基准源，属于模拟电路技术领域。带隙基准核心模块包括一个预稳压电路结构，该预稳压电路结构包括两条支路，分别是第五PMOS管和第二NMOS管，以及第六PMOS管和第三NMOS管，由于反馈的作用，这两条支路均是低阻抗支路，因此从供电电压到P点具有较高的电源抑制比，从而实现了整个带隙基准核心电路电源抑制比的提升；启动电路模块用于在电路刚开始启动时拉低带隙基准核心模块中第一PMOS管和第四PMOS管的栅极电位，同时控制电流流过第一双极型晶体管、第二双极型晶体管和第三双极型晶体管的基极，启动完成后退出。本发明与传统的带隙基准相比能够实现基准源电源抑制比的提升，同时与传统的预稳压技术相比功耗更低。
📄 2018105116553
📂 G05F1_567
👤 成都信息工程大学
📅 2018-05-25
一种平滑温度补偿带隙基准源电路，属于模拟集成电路技术领域。包括启动模块、偏置模块、高阶补偿模块和带隙基准核心模块，启动模块用于在电路初始化阶段使带隙基准源电路脱离零状态，并在带隙基准源电路正常工作后关断；偏置模块用于为高阶补偿模块和带隙基准核心模块产生第一偏置电压和第二偏置电压；带隙基准核心模块用来产生基准电压，高阶补偿模块用于产生高阶的补偿电流来提高基准电压的温度特性。本发明提出的带隙基准源在整个温度范围内实现了连续温度补偿，减小了基准电压在整个温度范围的温度漂移，实现了在整个温度范围的高阶补偿，从而使得基准电压在很宽的温度范围内具有高精度。
📄 2018107525687
📂 G05F1_567
👤 成都信息工程大学
📅 2018-07-10
本发明公开了一种自动跨导控制放大电路，包括输入端uin、控制端Uc、输出端iout、电压控制放大器U1、运算放大器U2、运算放大器U3、电容C1、电容C2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10和二极管D1，电压控制放大器U1的型号为VCA610。该自动跨导控制放大电路具有自动控制跨导值的功能，输入为交流电压信号，输出为交流电流信号，电流信号的峰值受到直流控制电压的控制；当直流控制电压稳定时，输出的电流值稳定，且不随输入交流电压信号幅度的变化而变化，可用于交流恒流源等电路的设计。
📄 2019103700198
📂 H03F3_45
👤 成都师范学院
📅 2019-05-06
本发明公开一种采用偏衬技术和泄露隔离的超低功耗全CMOS电流基准源，主要由四个部分构成，分别为特定的电流输出级、泄露隔离器、偏置电路和二级线性稳压器。其中，特定的电流输出级采用了偏衬技术和共源共栅结构，令功耗、输出精度和负载调整率均得到改善；泄露隔离器针对隔离衬底偏置引入的衬底泄露电流进行隔离；偏置电路用于产生一个与温度成反比的偏置电压，并对输出级进行温度补偿；二级线性稳压器利用两级电压基准产生一个与电源电压无关的供电电压，降低基准电流的电源线性度。本发明基于亚阈值操作和偏衬技术，在较小的电路面积上获得一个具有高精度、超低功耗和宽温度范围的基准电流。
📄 2022114935536
📂 G05F1_56
👤 广州大学
📅 2022-11-25
本实用新型公开了一种RSSI比较器快速检测信号电路，包括中频芯片U1、电阻R13、VR1、R14、二极管D2和比较器电路；中频信号U1的管脚五输出RSSI信号，RSSI为模拟信号，中频芯片U1的管脚五分别连接电阻VR1的第二端和电阻R14的第一端；电阻VR1电阻R14的第二端连接二极管D2的正极，二极管D2的负极接地，电阻VR1的第一端连接电阻R13，的电阻VR1的第三端连接比较器；电阻VR1用于调节RSSI的取样幅度；本实用新型通过RSSI的取样信号与比较器的基准电平信号进行比较，将比较结果用于判断空中是否存在信号，检测过程不用CPU干预，也不占用CPU资源，能够在微秒数量级内即可判断空中是否有信号。
📄 2021213668134
📂 H03K5_22
👤 深圳市普方科技有限公司
📅 2021-06-17
已申报项目
本发明请求保护一种用于DC‑DC开关电源芯片的高PSRR带隙电压源电路，包括电压预调整器及带隙基准核心电路(2)。本发明采用三极管Q8、三极管Q9、电阻R9及NMOS管M15构成负反馈环路使带隙基准核心电路稳定，采用三极管基极‑发射极嵌位技术产生正温度系数电压并与三极管基极‑发射极电压实现带隙基准电压，采用二极管反偏饱和电流的温度非线性对带隙基准电压进行温度补偿来实现低温漂带隙基准电压；采用电压预调整器为带隙基准核心电路提供工作电源电压、电压预调整器与带隙基准核心电路构成负反馈环路等技术来提高电路的电源抑制比PSRR，从而获得用于DC‑DC开关电源芯片的高PSRR低温漂的带隙基准参考电压。
📄 202210157647X
📂 G05F1_567
👤 重庆邮电大学
📅 2022-02-21
柿子坊 · 知识产权运营
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