本发明公开了一种电气设备的电压控制方法及系统，属于调节控制技术领域，包括以下步骤：S1、得到稳压器的初调软启动电容值；S2、得到试运行质量判定结果，若试运行质量判定结果为合格，则以初调软启动电容值维持运行，否则执行S3；S3、进行相应的环路带宽调节，得到初调质量差异判定结果，由此进行相应的稳压器二次调整；S4、得到各关联用电器运行质量值，进而处理得到各关联用电器的波动判定结果，由此进行相应的稳压器PWM占空比上升步幅调整，达到了目标用电器及其关联用电器电压的连续平稳控制，解决了现有技术中由于目标用电器运行状态突变导致的目标用电器以及关联用电器波动剧烈的问题。
📄 2025112661910
📂 G05F1_56
👤 闽西职业技术学院
📅 2025-09-05
一种含共用阻抗补偿单元的分段式直流供电系统包括直流输出电源、阻抗补偿单元、函数发生器、分段控制器、第1受控电流源至第N受控电流源和第1电压型负载至第N电压型负载，既可采用所述阻抗补偿单元位于高端的连接方式，也可采用所述阻抗补偿单元位于低端的连接方式。本发明通过第1受控电流源至第N受控电流源的状态反馈，动态调整阻抗补偿单元的阻抗，在宽直流电压范围的工作场合可抑制第1受控电流源至第N受控电流源内部的工作电压差，可实现高精度的电流控制。
📄 201710928050X
📂 G05F1_56
👤 浙江工业大学
📅 2017-10-09
本发明公开了，SiCMOSFET门极驱动电压控制电路，包括FPGA芯片，FPGA芯片分别连接有门极驱动级、电流检测电路、电压检测电路。本发明还公开了SiCMOSFET的门极驱动电压控制方法，该方法通过本发明第一种技术方案的SiCMOSFET门极驱动电压控制电路实现电压控制，具体包括在SiCMOSFET门极驱动电压控制电路中接入SiCMOSFET，并将FPGA芯片与开关连接，在开关打开或关断时，FPGA芯片控制门极驱动级输出不同的门极驱动电压，使SiCMOSFET完全导通或SiCMOSFET完全关断。本发明能够有效的抑制大功率SiCMOSFET高频应用中出现的过冲、振荡、EMI等问题。
📄 2018112886098
📂 G05F1_569
👤 西安理工大学
📅 2018-10-31
本发明公开了一种可实现快速瞬态响应LDO加速电路，包括跨导放大器OTA、共射放大电路、控制LDO功率管栅极的充电支路及控制LDO功率管栅极的放电支路；当LDO输出端电压发生过冲或下冲且超过一定阈值时，此时加速电路导通，通过对LDO栅极VG充放电来实现LDO输出端电压VOUT过冲或下冲电压减小并快速趋于稳定。解决了传统LDO结构输出端负载瞬态切换时，存在过冲电压及下冲电压值过大，稳定时间长的问题。
📄 2021109866349
📂 G05F1_56
👤 西安理工大学
📅 2021-08-26
本发明提出一种具有失调消除以及非线性补偿的带隙基准电压源,包括带隙基准电压源，带隙基准电压源内设有带隙基准电压源电路，带隙基准电压源电路包括传统带隙电路、运放核心电路、负温度系数电流产生电路、非线性补偿产生电路、启动电路以及偏置电路，传统带隙电路结构包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、MN22MOS管、Q1晶体管、Q2晶体管以及带隙基准电压源输出端口Vref，本发明采用传统带隙电路结构对输出电压进行一阶线性补偿，利用负温度系数电流以及三极管产生非线性补偿项，通过具有失配消除的四输入运算放大器进行非线性补偿，实现高精度及低温度系数，并保证带隙基准电压源在稳态时的高电源抑制比。
📄 2022103222094
📂 G05F1_567
👤 西安理工大学
📅 2022-03-30
一种提升电源抑制比的带隙基准源，属于模拟电路技术领域。带隙基准核心模块包括一个预稳压电路结构，该预稳压电路结构包括两条支路，分别是第五PMOS管和第二NMOS管，以及第六PMOS管和第三NMOS管，由于反馈的作用，这两条支路均是低阻抗支路，因此从供电电压到P点具有较高的电源抑制比，从而实现了整个带隙基准核心电路电源抑制比的提升；启动电路模块用于在电路刚开始启动时拉低带隙基准核心模块中第一PMOS管和第四PMOS管的栅极电位，同时控制电流流过第一双极型晶体管、第二双极型晶体管和第三双极型晶体管的基极，启动完成后退出。本发明与传统的带隙基准相比能够实现基准源电源抑制比的提升，同时与传统的预稳压技术相比功耗更低。
📄 2018105116553
📂 G05F1_567
👤 成都信息工程大学
📅 2018-05-25
一种平滑温度补偿带隙基准源电路，属于模拟集成电路技术领域。包括启动模块、偏置模块、高阶补偿模块和带隙基准核心模块，启动模块用于在电路初始化阶段使带隙基准源电路脱离零状态，并在带隙基准源电路正常工作后关断；偏置模块用于为高阶补偿模块和带隙基准核心模块产生第一偏置电压和第二偏置电压；带隙基准核心模块用来产生基准电压，高阶补偿模块用于产生高阶的补偿电流来提高基准电压的温度特性。本发明提出的带隙基准源在整个温度范围内实现了连续温度补偿，减小了基准电压在整个温度范围的温度漂移，实现了在整个温度范围的高阶补偿，从而使得基准电压在很宽的温度范围内具有高精度。
📄 2018107525687
📂 G05F1_567
👤 成都信息工程大学
📅 2018-07-10
一种适用于带隙基准源的无过冲软启动电路，属于集成电路技术领域。本发明提出的软启动电路的启动过程分为两个阶段：自启动阶段和稳定阶段，自启动阶段中软启动电路的输出电流随着电源电压的增加逐渐增大；稳定阶段中软启动电路的输出电流根据反馈回路进行调整，使得软启动电路的输出电流逐渐增大，不会发生瞬变，最终达到设定的电流值，实现了平稳无过冲的软启动切换。本发明产生的输出电流实现了平稳无过冲的电流切换，有效规避了输出电流过冲的问题，实现了无过冲的软启动的目的；另外由于采用共源共栅电流镜结构减小了对电源电压的依赖，提升了软启动电路的共源抑制比；能够使得基准电压迅速建立，保证了带隙基准源电路的稳定性。
📄 2018107764531
📂 G05F1_56
👤 深圳争妍微电子有限公司
📅 2018-07-10
本发明公开一种采用偏衬技术和泄露隔离的超低功耗全CMOS电流基准源，主要由四个部分构成，分别为特定的电流输出级、泄露隔离器、偏置电路和二级线性稳压器。其中，特定的电流输出级采用了偏衬技术和共源共栅结构，令功耗、输出精度和负载调整率均得到改善；泄露隔离器针对隔离衬底偏置引入的衬底泄露电流进行隔离；偏置电路用于产生一个与温度成反比的偏置电压，并对输出级进行温度补偿；二级线性稳压器利用两级电压基准产生一个与电源电压无关的供电电压，降低基准电流的电源线性度。本发明基于亚阈值操作和偏衬技术，在较小的电路面积上获得一个具有高精度、超低功耗和宽温度范围的基准电流。
📄 2022114935536
📂 G05F1_56
👤 广州大学
📅 2022-11-25
本发明涉及集成电路技术领域，且公开了一种采用双向逐次逼近比较型SAR二分法电路的DLDO电路，该电路包括以双向逐次逼近比较型(SAR)为核心的二分法粗调电路、细调电路、窗口比较器、单限比较器和负载电路。其中，该二分法电路部分还包括了大尺寸二进制PMOS阵列，细调电路中包括了细调逻辑和小尺寸PMOS阵列。其中单限比较器将输出电压VOUT与参考电压VREF进行比较，得到方向FD信号，用来控制双向二分法粗调电路和细调电路的调整方向，使输入电压VOUT趋近于参考电压VREF。本发明具有瞬态响应速度快，上下冲电压小，电路结构简单，全集成化等优点，电路实现了快速将输出电压稳定在参考值附近的能力，减小了上下冲电压，并且确保了输出电压VOUT的带载能力。
📄 2022113716103
📂 G05F1_56
👤 广州大学
📅 2022-11-03
本发明涉及集尘电路技术领域，且公开了一种采用逻辑控制消除LCO震荡的DLDO电路，包括细调电路、粗调电路、窗口比较器、动态单限比较器与负载电路，所述窗口比较器的输入端与电路输出电压VOUT相连，所述窗口比较器的输出端与细调电路的输入端相连，所述单限比较器的输入端与电路输出电压VOUT相连，所述单限比较器的输出端与细调电路的输入端相连，所述细调电路包括稳定状态检测、双向移位寄存器组与小尺寸PMOS阵列。该采用逻辑控制消除LCO震荡的DLDO电路，采用动态比较器技术，有效避免了比较器输出信号的非期望翻转，同时降低了比较器的功耗，并通过使用粗调电路与细调电路相结合的技术，提升瞬态响应速度的同时降低了输出电压的误差。
📄 2022113708056
📂 G05F1_56
👤 广州大学
📅 2022-11-03
本实用新型涉及交流功率控制器领域，公开了一种交流稳压稳流稳功率控制器，包括：取样单元，用于对输出电压、电流和功率进行取样，生成取样信号；控制单元，与所述取样单元连接，所述控制单元用于对取样信号进行分析和比较；驱动单元，与所述控制单元连接。本实用新型中，通过负载开路检测单元能够实时监测负载状态，防止输出电压或电流异常升高，有效保护控制器和后续电路不受损坏，无交流输入检测单元能够实时监测输入交流电压的存在与否及其幅值，使用户能够及时了解设备状态，通过电流隔离检测单元能够在电气隔离的条件下监测电流状态，有效检测电流隔离状态，提升了系统的电磁兼容性。
📄 2024226572576
📂 G05F1_567
👤 淄博矽微电子科技有限公司
📅 2024-11-01
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