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用于冷原子干涉型重力仪的快速开关恒流源，包括依次连接的TTL控制信号输入电路单元1、光电耦合电路单元2、MOSFET开关电路单元3、电源信号降噪电路单元4、恒流电路单元5和输出负载电路单元6；本发明具有电路结构简单、电流值稳定、开关响应延时短以及功耗小等优点；恒流源的电流源开启和关断时间可控制在微秒级别，恒流源的电流值偏差控制万分之一以内。

一种降低失调影响的低噪声带隙基准电路，属于集成电路领域。包括电流源模块、PTAT电压产生模块和带隙基准电压产生模块，PTAT电压产生模块用于产生PTAT电压；电流源模块用于给PTAT电压产生模块中的NPN晶体管提供成比例的电流，同时给带隙基准电压产生模块中的两条支路提供成比例的电流；带隙基准电压产生模块用于利用PTAT电压产生带隙基准电压。本发明提出的带隙基准电路利用运算放大器钳位流过两个NPN晶体管的集电极电流的比例，通过电压叠加实现两个NPN晶体管的基极发射极电压差的差值，显著降低了运放输入失调电压和噪声电压到带隙基准输出电压的增益，从而降低了运放失调和噪声对输出电压的影响。

本发明公开了应用于低电压输出的自适应动态偏置LDO电路，包括：控制电路，参考电压产生电路，反馈电路，负载电路，功率管M12，所述控制电路包括：PMOS管M1、M2、M3、M4、M12，NMOS管M5、M6、M7、M8、M9，电容C1、C2，所述参考电压产生电路包括：NMOS管M10、M11，运算放大器EA，基准电压电路bandgap，所述反馈电路包括：NMOS管M13、M14，所述负载电路包括：负载电容CL，负载电阻RL。本发明创造的电路结构以控制电路为核心，相对于现有的LDO电路，具有良好的负载瞬态响应能力，对电压输出适应能力强。该电路结构可广泛应用于SoC芯片。

本发明涉及基准电压技术领域，特别地涉及一种二阶曲率温度补偿带隙基准电路。本发明公开了一种二阶曲率温度补偿带隙基准电路，其特征在于：包括一阶带隙基准电路和二阶曲率温度补偿电路，二阶曲率温度补偿电路输入一阶带隙基准电路的基准输出电压va，相应地产生一个呈正温度系数特性的电压vR2，基准输出电压va与电压vR2叠加后作为该二阶曲率温度补偿带隙基准电路的基准输出电压vref。本发明在一阶带隙基准电路的基础上，增加二阶曲率补偿电路，大大降低了基准电压的温度系数，特别适用于温度变化较大的场合，且电路结构简单，无需引入额外类型器件，面积也不大，尤其适合作为带功率器件的芯片内部参考电压。

本发明请求保护一种采用负反馈箝位技术的带隙基准电路，属于微电子技术领域。包括带隙基准电流源偏置电路以及带隙基准核心电路等。本发明采用共源共栅结构为带隙基准核心电路提供偏置电流信号来提高带隙基准的电源抑制比，带隙基准核心电路采用负反馈箝位技术取代传统运算放大器箝位技术来产生正温度系数电流IR2a及IR4，正温度系数电流IR2a在电阻R2a以及正温度系数电流IR4在电阻R4上产生正温度系数的压降分别与NPN型三极管Q3的基极‑发射极电压加权实现高性能的带隙基准参考电压，从而实现一种采用负反馈箝位技术的带隙基准电路。

本发明涉及一种适于接地式阻敏传感器的精密电流源控制电路，包括指令缓冲电路、恒流控制电路，具体包括指令跟随器IC1、驱动运放IC2、正端跟随器IC3、负端跟随器IC4、稳压管DW1、指令电位器RP1、限流电阻R1、给定电阻R2、正端电阻R3、采样电阻R6、稳流电感L1、阻敏传感元件SR1等，该电路基于大电流输出的驱动运放与精密采样电阻，采用高阻跟随器检测采样电阻上的压差进行低噪声、高精度稳流供电控制的电路处理方案，该发明电路中的阻敏传感器一端可接地，以便于后续信号处理。该电路器件少、体积小，易于微型化、芯片化。