本发明提出一种具有失调消除以及非线性补偿的带隙基准电压源,包括带隙基准电压源，带隙基准电压源内设有带隙基准电压源电路，带隙基准电压源电路包括传统带隙电路、运放核心电路、负温度系数电流产生电路、非线性补偿产生电路、启动电路以及偏置电路，传统带隙电路结构包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、MN22MOS管、Q1晶体管、Q2晶体管以及带隙基准电压源输出端口Vref，本发明采用传统带隙电路结构对输出电压进行一阶线性补偿，利用负温度系数电流以及三极管产生非线性补偿项，通过具有失配消除的四输入运算放大器进行非线性补偿，实现高精度及低温度系数，并保证带隙基准电压源在稳态时的高电源抑制比。
📄 2022103222094
📂 G05F1_567
👤 西安理工大学
📅 2022-03-30
一种提升电源抑制比的带隙基准源，属于模拟电路技术领域。带隙基准核心模块包括一个预稳压电路结构，该预稳压电路结构包括两条支路，分别是第五PMOS管和第二NMOS管，以及第六PMOS管和第三NMOS管，由于反馈的作用，这两条支路均是低阻抗支路，因此从供电电压到P点具有较高的电源抑制比，从而实现了整个带隙基准核心电路电源抑制比的提升；启动电路模块用于在电路刚开始启动时拉低带隙基准核心模块中第一PMOS管和第四PMOS管的栅极电位，同时控制电流流过第一双极型晶体管、第二双极型晶体管和第三双极型晶体管的基极，启动完成后退出。本发明与传统的带隙基准相比能够实现基准源电源抑制比的提升，同时与传统的预稳压技术相比功耗更低。
📄 2018105116553
📂 G05F1_567
👤 成都信息工程大学
📅 2018-05-25
一种平滑温度补偿带隙基准源电路，属于模拟集成电路技术领域。包括启动模块、偏置模块、高阶补偿模块和带隙基准核心模块，启动模块用于在电路初始化阶段使带隙基准源电路脱离零状态，并在带隙基准源电路正常工作后关断；偏置模块用于为高阶补偿模块和带隙基准核心模块产生第一偏置电压和第二偏置电压；带隙基准核心模块用来产生基准电压，高阶补偿模块用于产生高阶的补偿电流来提高基准电压的温度特性。本发明提出的带隙基准源在整个温度范围内实现了连续温度补偿，减小了基准电压在整个温度范围的温度漂移，实现了在整个温度范围的高阶补偿，从而使得基准电压在很宽的温度范围内具有高精度。
📄 2018107525687
📂 G05F1_567
👤 成都信息工程大学
📅 2018-07-10
本实用新型涉及交流功率控制器领域，公开了一种交流稳压稳流稳功率控制器，包括：取样单元，用于对输出电压、电流和功率进行取样，生成取样信号；控制单元，与所述取样单元连接，所述控制单元用于对取样信号进行分析和比较；驱动单元，与所述控制单元连接。本实用新型中，通过负载开路检测单元能够实时监测负载状态，防止输出电压或电流异常升高，有效保护控制器和后续电路不受损坏，无交流输入检测单元能够实时监测输入交流电压的存在与否及其幅值，使用户能够及时了解设备状态，通过电流隔离检测单元能够在电气隔离的条件下监测电流状态，有效检测电流隔离状态，提升了系统的电磁兼容性。
📄 2024226572576
📂 G05F1_567
👤 淄博矽微电子科技有限公司
📅 2024-11-01
已申报项目
本发明请求保护一种用于DC‑DC开关电源芯片的高PSRR带隙电压源电路，包括电压预调整器及带隙基准核心电路(2)。本发明采用三极管Q8、三极管Q9、电阻R9及NMOS管M15构成负反馈环路使带隙基准核心电路稳定，采用三极管基极‑发射极嵌位技术产生正温度系数电压并与三极管基极‑发射极电压实现带隙基准电压，采用二极管反偏饱和电流的温度非线性对带隙基准电压进行温度补偿来实现低温漂带隙基准电压；采用电压预调整器为带隙基准核心电路提供工作电源电压、电压预调整器与带隙基准核心电路构成负反馈环路等技术来提高电路的电源抑制比PSRR，从而获得用于DC‑DC开关电源芯片的高PSRR低温漂的带隙基准参考电压。
📄 202210157647X
📂 G05F1_567
👤 重庆邮电大学
📅 2022-02-21
本发明请求保护一种用于电源芯片的带隙基准电路，包括启动电路、带隙基准核心电路及温度补偿电路。本发明采用电流镜及电流源的嵌位技术使得NPN三极管Q1及NPN三极管Q4具有相同的集电极电压及相同的基极电压，使得电阻R5支路及电阻R6支路上流过相等的正温度系数电流，进而在电阻R4与电阻R5上产生正温度系数电压并与NPN三极管Q2的基极‑发射极电压产生一阶带隙基准电压；采用NPN三极管的基极与发射极短接技术获得反偏PN结，利用反偏PN结的饱和电流产生高阶温度补偿电流并对一阶带隙基准电压进行高阶温度补偿，从而实现一种用于电源芯片的高性能带隙基准电路。
📄 2022101251374
📂 G05F1_567
👤 重庆邮电大学
📅 2022-02-10
本发明提供一种低噪声带隙基准电路及低压差线性稳压器，涉及集成电路技术领域，所述电路包括：温度补偿电压模块；运算放大模块，包括两个输入级三极管形成的输入级，两个输入级三极管的基极其中之一与第一电压连接端连接，另一与第二电压连接端连接；电流镜像模块，包括镜像三极管以及镜像结构单元，镜像结构单元与镜像三极管连接；电流补偿模块设置有第一电流补偿端以及第二电流补偿端，电流补偿模块与镜像三极管的基极连接，第一电流补偿端与第一电压连接端连接，第二电流补偿端与第二电压连接端连接。电流镜像模块获取输入级三极管的基极电流，电流补偿模块补偿与输入级三极管基极电流相反的电流，消除基极电流产生的影响维持基准电压的稳定。
📄 2024106842581
📂 G05F1_567
👤 华南师范大学
📅 2024-05-30
本申请提供了电流调节方法、电流调节装置以及电子设备。其中，电流调节方法包括：获取功率放大器的温度值与电流值；判断温度值是否处于预设温度范围内；当温度值处于预设温度范围内时，获取与预设温度范围相对应的第一预设电流值；判断功率放大器的电流值是否等于第一预设电流值；当功率放大器的电流值不等于第一预设电流值时，调节功率放大器的电流值等于第一预设电流值。其中，功率放大器处于预设温度范围内且电流等于第一预设电流值时的性能优于功率放大器处于预设温度范围内且电流等于电流值时的性能。本申请提供的电流调节方法可根据当前功率放大器的温度值，匹配与该温度值对应的预设温度范围内的电流值，以提高功率放大器的工作性能。
📄 202210250420X
📂 G05F1_567
👤 OPPO广东移动通信有限公司
📅 2022-03-14
一种高压低功耗的E/D基准电路，它由启动偏置电路模块、E/D基准核心电路和修调电路模块三部分组成。启动偏置电路模块用于在电源电压建立时使E/D基准电路脱离错误的简并点，同时为基准核心电路中的共栅管提供电压偏置，保证基准的正常建立；E/D基准核心电路利用增强型NMOS管和耗尽型NMOS管的不同阈值电压产生与温度、电源电压无关的基准电压，具有较低的静态电流和良好的温度系数，且电路中使用了较多高压功率管，结合Cascode结构的电流偏置保证了基准能够在数十伏的高压输入下工作；由于在不同的工艺角下阈值电压的变化较大，因此该E/D基准包含了一个N‑bit的修调电路模块，保证了该基准电压在不同的工艺角下均具有良好的温度系数。
📄 2022105842087
📂 G05F1_567
👤 电子科技大学,电子科技大学广东电子信息工程研究院
📅 2022-05-27
本发明提供了一种高电源抑制比高阶曲率补偿的带隙基准参考电路，包括启动电路、前调整器电路、带隙基准电路、低温区域分段线性温度补偿电路、高温区域与绝对温度T1.5成正比的温度补偿电路、高温区域分段线性温度补偿电路。本发明通过将低温区域分段线性温度补偿电流及高温区域与绝对温度T1.5成正比的温度补偿电流加入传统带隙基准参考电路中，并从传统带隙基准参考电路中抽走高温区域分段线性温度补偿电流，从而得到高阶曲率补偿的基准电压；将负反馈前调整器技术加入到高阶曲率补偿的基准电压中，从而得到高电源抑制比高阶曲率补偿的带隙基准参考电路。
📄 2015103722038
📂 G05F1_567
👤 重庆邮电大学
📅 2015-06-30
本发明公开了一种带温度补偿的带隙基准参考电路，属于微电子技术领域，本发明的温度补偿的带隙基准参考通过将分段电流INL以及与温度T1.5成正比的电流IP11加入到传统的一阶带隙基准电路中，即通过将高阶温度补偿电路中的PMOS管MP7的漏电流和PMOS管MP11的漏电流加入到电阻R5上来实现高阶温度补偿，得到基准电压，采用该技术，可得到较小温度系数的基准电压。
📄 2014101099796
📂 G05F1_567
👤 重庆邮电大学
📅 2014-03-24
本发明涉及集成电路设计技术领域，公开了一种基于衬底二极管电流的宽温度范围的CMOS电压基准源，其包括启动电路、具有对称双支路结构的电流源以及利用了衬底二极管电流的输出电路组成，其中，具有对称双支路结构的电流源能够产生一个与热电压成正比的偏置电流，该偏置电流灌入到利用了衬底二极管电流的输出电路中，从而得到宽温度范围内的基准电压。本发明通过设置偏置电流灌入，利用衬底二极管电流的输出电路，与温度成正比的热电压和与温度成反比的阈值电压相叠加，以实现第一次温度补偿，同时在高温时利用衬底二极管电流随温度极速增大的特性可以实现电路的第二次温度补偿，能够在低功耗的条件下能够得到一个宽温度范围的基准电压。
📄 2022108289438
📂 G05F1_567
👤 广州大学
📅 2022-07-15
柿子坊 · 知识产权运营
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