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摘 要:本发明涉及神经突触网络技术领域,特指一种具有记忆功能的神经突触网络。根据电容充放电存储信息的原理,给晶体管施加电压,使晶体管导通对电路中的电容进行充电,并通过对该种晶体管进行n×n阵列形式排布,形成具有记忆功能的神经突触网络。其中利用氧化钨作为薄膜晶体管的栅介质层,IZO作为沟道层实现双电层突触晶体管的制作。对双电层突触晶体管进行n×n阵列形式排布,通过电路连接形成具有记忆功能的神经突触网络。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810725395.X | 专利名称: | 一种具有记忆功能的神经突触网络 |
申请日: | 2018-07-04 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G06N3/063搜分类 网络传输搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |