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摘 要:本发明公开了一种全无机钙碳矿量子点CsPbBr3电存储器件及其制备方法,具有DRAM电存储性能,扩展了钙钛矿量子点在存储器件中的应用,对半导体器件有着良好的应用,制备成的三明治结构的电存储器件,成功实现了DRAM电存储行为,同时制备过程简单,器件稳定性好,具有重复性好、弯曲次数多的特点。本发明提供了柔性电存储器件一种新的设计思路,利用本发明技术方案制备的柔性电存储器件,成功实现了DRAM电存储行为。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201711198920.9 | 专利名称: | 全无机钙碳矿量子点CsPbBr3电存储器件及其制备方法 |
申请日: | 2017-11-26 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L27/108搜分类 C 钙 R P 存储器件搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |