发明专利已授权

一种基于氧气等离子体蚀刻的PS小球循环刻蚀工艺

📄 申请号：CN202111033626.9 📄 发布日：2026/08/10

著录项目信息

申请日

2021-09-03

公开号

CN113921392B

公开日

2022-09-23

申请人

南京信息工程大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_3065

IPC 分类号

H01L21_3065 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

半导体制造, 微纳器件加工, 光学器件制备, 生物传感器, 表面改性

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摘要

本发明公开了一种基于氧气等离子体蚀刻的PS小球循环刻蚀工艺，包括如下步骤：对衬底进行清洗干燥；在衬底上沉积单层PS小球；将其置于氧气等离子体蚀刻机的真空腔室内，设定相关工艺参数；预设单位蚀刻周期为连续的15秒氧气等离子体激发时间与30秒停止激发时间，使用的单位蚀刻周期的数量为N，蚀刻总时长T=N*15秒；取出衬底，蒸镀金属层，进行有机溶剂清洗和干燥处理，完成模板转移后，可用于微纳结构的制造。本发明解决了传统PS小球蚀刻过程中PS小球易融化所导致的PS小球光刻易失效、模板转移困难、PS小球残留物难以祛除等系列难题，通过实现高质量PS小球蚀刻工艺，来实现更为复杂精细的微纳结构制造。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20220923

✅ 授权

20220128

?? 实质审查的生效：

20220111

📄 公开

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