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摘 要:本发明公开了一种基于氧气等离子体蚀刻的PS小球循环刻蚀工艺,包括如下步骤:对衬底进行清洗干燥;在衬底上沉积单层PS小球;将其置于氧气等离子体蚀刻机的真空腔室内,设定相关工艺参数;预设单位蚀刻周期为连续的15秒氧气等离子体激发时间与30秒停止激发时间,使用的单位蚀刻周期的数量为N,蚀刻总时长T=N*15秒;取出衬底,蒸镀金属层,进行有机溶剂清洗和干燥处理,完成模板转移后,可用于微纳结构的制造。本发明解决了传统PS小球蚀刻过程中PS小球易融化所导致的PS小球光刻易失效、模板转移困难、PS小球残留物难以祛除等系列难题,通过实现高质量PS小球蚀刻工艺,来实现更为复杂精细的微纳结构制造。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202111033626.9 | 专利名称: | 一种基于氧气等离子体蚀刻的PS小球循环刻蚀工艺 |
申请日: | 2021-09-03 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L21/3065搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
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日期 | 法律信息 | 备注 |