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摘 要:一种alpha相氧化镓薄膜的制备方法,包括如下步骤:对m面蓝宝石衬底进行清洗,吹干后放入衬底托盘;将衬底载入真空室,待真空室的真空度达到3×10‑6 Pa后,通入高纯氩气,气体流量控制在40 sccm,调节真空室真空度为1Pa;对高纯Ga2O3陶瓷靶材进行预处理;采用磁控溅射法在衬底上沉积薄膜,衬底温度为25摄氏度,射频功率设置为40W,沉积时间为2小时;将制备好的薄膜放入管式炉中进行后退火处理,后退火温度为500‑800摄氏度,退火时间为2小时。本发明方法制备的alpha相氧化镓薄膜沉积面积大且粒径分布均匀。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202011070429.X | 专利名称: | 一种alpha相氧化镓薄膜的制备方法 |
申请日: | 2020-10-09 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C23C14/08搜分类 塑料搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |