发明专利已授权

一种alpha相氧化镓薄膜的制备方法

📄 申请号：CN202011070429.X 📄 发布日：2026/08/10

著录项目信息

申请日

2020-10-09

申请人

南京信息工程大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C14_08

IPC 分类号

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

功率半导体器件, 电力电子, 射频器件, 深紫外光电器件, LED

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摘要

一种alpha相氧化镓薄膜的制备方法，包括如下步骤：对m面蓝宝石衬底进行清洗，吹干后放入衬底托盘；将衬底载入真空室，待真空室的真空度达到3×10‑6 Pa后，通入高纯氩气，气体流量控制在40 sccm，调节真空室真空度为1Pa；对高纯Ga2O3陶瓷靶材进行预处理；采用磁控溅射法在衬底上沉积薄膜，衬底温度为25摄氏度，射频功率设置为40W，沉积时间为2小时；将制备好的薄膜放入管式炉中进行后退火处理，后退火温度为500‑800摄氏度，退火时间为2小时。本发明方法制备的alpha相氧化镓薄膜沉积面积大且粒径分布均匀。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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