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本发明公开了一种高温埋碳碳热还原制备高纯β型‑碳化硅微纳粉体的方法。硅粉与可膨胀石墨按比例进行配料、混合均匀，获得混合原料；将混合原料通过坩埚以及由石墨纸、耐火棉、石墨粉组成的覆盖层埋碳封装；将埋碳后物料坩埚放入高温烧结炉中，高温发生碳热还原反应；待物料完全冷却后，将坩埚取出，去除覆盖层后得到碳化硅粉体，将碳化硅粉体放入马弗炉中在氧气氛围中高温煅烧；以球磨等方式进行分散；碳化硅粉体经酸洗、水洗后得到β型‑碳化硅微纳粉体。本发明采用高温埋碳碳热还原方式制备的β型‑碳化硅微纳粉体为微纳米级，一级粉体提纯细化后产率高，且工艺简单、成本低，适宜大规模工业化生产。

本发明公开了一种新的碳化硅生产工艺，包括以下步骤：S1：将碳源和氯化钠放置于合成反应容器底部，再次除去部分杂质；S2：将预处理后的硅源，放置于提纯容器底部，并分步骤逐渐升温至2250℃，除去低沸点杂质；S3：在步骤S2的提纯容器底部通入惰性气体，进一步除去低沸点杂质，之后进入合成反应器，进入合成反应器的气相硅将合成反应器中碳源温度逐渐加热，反应时间10~20h，得到碳化硅粗品；S4：将步骤S3得到的碳化硅粗品提纯后，纯度＞99.999%。本发明的制备方法简单，成本低廉，减少CO2排放量，可生产出更高纯度的碳化硅，制备的碳化硅纯度大于99.993%，用于电子产品和芯片等领域。

本发明公开了一种开放体系SiC纳米线的制备方法。将盛有金属硅粉的石英坩埚放入管式炉中间区域，并在管式炉的低温段铺设石墨纸；根据反应所需要的温度来设定管式炉的升温程序，根据液态碳源注射量的多少来设定反应保温时间；当温度达到反应所需要的温度时，开启液态碳源的数字注射泵，将碳源注入管式炉内，液态碳源通过高温裂解气化得到碳源，再通过氩气输送至管式炉反应段进行碳热还原反应；待液态碳源注射结束后，开始启动降温程序降至常温，在石墨纸上沉积有SiC纳米线。本发明首次采用乙醇或丙醇为碳源，硅粉为硅源，在开放体系中制备SiC纳米线。相比于背景技术，具有低能源消耗，工艺简单，无需催化剂和连续制备等优点。