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本发明属于氟化碳材料技术领域，公开了表面具有高导电结构缺陷的氟化碳及其制备方法和应用。所述制备方法为：于惰性气氛中，将氟化碳和氮源混合后进行研磨处理，获得混合物；于惰性气氛中，将所述混合物于200~500℃下进行热处理，即获得表面具有高导电结构缺陷的氟化碳。本发明通过将氟化碳和氮源研磨后进行热处理，使氮源在热处理过程中分解产生气体，成功制备出表面高导电结构缺陷的氟化碳，降低了表面C‑F共价键和C‑F2\C‑F3非活性基团，形成了高导电石墨畴界面，引入适当的缺陷和氮掺杂，显著提升氟化碳的离子/电子导电性，降低锂/氟化碳一次电池的初始电压滞后性，提高放电电压平台。