发明专利已授权

一种SiC纳米纤维非织造材料的制备方法

📄 申请号：CN201510406863.3 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2015-07-13

申请人

浙江理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

D04H1_4209

IPC 分类号

技术画像

所属领域

纳米材料纳米材料陶瓷纤维非织造材料

应用场景

高温过滤, 隔热保温, 复合材料增强, 催化剂载体, 电子器件热管理

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摘要

本发明公开了一种SiC纳米纤维非织造材料的制备方法。以碳纤维为碳源和基底，含碳的干凝胶粉为获得SiO与CO反应气体的原料，在坩埚内，通过高温碳热还原法合成SiC纳米纤维毡，采用直接滚压法滚压SiC纳米纤维毡，获得SiC纳米纤维非织造材料。本发明首次采用以碳纤维为基底生长的SiC纳米纤维毡为原料，通过直接滚压法来获得SiC纳米纤维非织造材料。生产过程具有低能源消耗低成本、工艺简单、无污染、无需催化剂等优点。该SiC纳米纤维非织造材料具有柔顺、耐火、阻燃和高强度等性能，SiC纳米纤维非织造材料在柔性电子、纳米复合材料、高温过滤、催化剂载体和高温传感等方面具有广泛的应用前景。

权利要求书 (12项) 说明书附图

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图1

图2

图3

法律状态时间线

以可膨胀石墨为碳源SiC纳米线的制备方法

当前第 / 件

一种开放体系SiC纳米线的制备方法

同领域国内专利 · IPC: (D04H1_4209)

D04H1_02 D04H1_42 D04H1_4209 D04H1_425 D04H1_4258 D04H1_4266 D04H1_4282 D04H1_4309 D04H1_435 D04H1_4358 D04H1_4374 D04H1_4382 D04H1_4391 D04H1_44 D04H1_46 D04H1_485 D04H1_492 D04H1_54 D04H1_541 D04H1_542 D04H1_544 D04H1_558 D04H1_56 D04H1_655 D04H1_70 D04H1_72 D04H1_724 D04H1_728 D04H1_732 D04H1_736 D04H1_74 D04H1_76 D04H17_00 D04H18_02 D04H18_04 覆盖35个领域

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