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本发明公开了一种B4C/SiC纳米线复合微波吸收材料，该材料是以石墨、碳纳米管、棉纤维等作为碳源，硼粉为硼源，与SiO2以及催化剂(硝酸铁或硝酸镍)充分混合后，在惰性气氛保护下加热反应，即得到B4C/SiC纳米线复合微波吸收材料。本发明所采用的原料简单易得、操作简单可控，制备的B4C/SiC纳米线复合材料结晶度好、形貌规则、尺寸均匀，具有良好的微波吸收性能。

本发明公开了一种制备纳米孪晶碳化硼粉体的方法，涉及超细陶瓷粉体制备技术领域，包括以下步骤：（1）使用作为硼源的硼酸和碳源，称取硼源和碳源后放入去离子水中，搅拌均匀至完全溶解，获得无色透明的溶液；（2）将得到的溶液放在加热台上加热至溶液蒸干，将得到块状物研磨成粉体后收集备用；（3）将粉体放入石墨坩埚中，将石墨坩埚放在在管式炉或碳管炉中抽真空然后加热，加热温度设定为1000～2000℃，保温时间0～180min，冷却后得到纳米孪晶碳化硼粉体。本发明降低了纳米碳化硼粉体制备的难度，提高了产物纯度，提高了产率，原料价格低廉，制备工艺简单，制备粉体纯度高粒径小，反应条件温和，加热温度低。

本发明公开了一种碳化硼纳米线的制备方法，属于无机非金属纳米材料领域。所述方法包括：在去离子水中依次加入硼粉和过渡金属硝酸盐，搅拌，随后加入螯合剂，继续搅拌，然后进行水热反应，过滤，过滤物经真空干燥、氩气气氛下热处理后得到“硼‑催化剂”前驱体，将所得“硼‑催化剂”前驱体置于化学气相沉积炉中，在甲烷气氛下升温至一定温度进行热处理反应，随后自然冷却至室温，全部反应生成碳化硼纳米线。本发明方法制备所得碳化硼纳米线形貌均匀、长径比大、纯度高，所述制备工艺简单、产率高、纯度高、可重复性好，易于实现工业化宏量生产，在高性能结构材料领域具有广阔的应用前景。