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摘 要:本发明涉及一种室温水溶液法生长硒化亚锡纳米棒锥单晶及其方法,以二氯化锡为锡源,硒粉为硒源,将二氯化锡和螯合剂溶解在水中,得到溶液A;将硒粉溶解在氢氧化钾水溶液中,获得溶液B。通过溶液A和溶液B混合反应,即可获得硒化亚锡纳米棒锥单晶。本发明采用水溶液法,通过纳米晶的成核、熟化、晶核长大三个阶段,完成硒化亚锡纳米晶的生长,最后分离得到硒化亚锡纳米棒锥单晶,反应温度为室温,操作简单,反应时间短,容易控制;本发明所生长的硒化亚锡为纳米棒锥形貌且为纳米单晶,具有较为尖锐的纳米尖端,获得的硒化亚锡纳米棒锥单晶纯度高。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201710496489.X | 专利名称: | 一种室温水溶液法生长硒化亚锡纳米棒锥单晶及其方法 |
申请日: | 2017-06-26 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C30B29/46搜分类 纳米晶材料 生长 纳米棒 单晶搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |