发明专利已授权

一种表面原位生成纳米SiC的复合CNTs的制备方法

📄 申请号：CN201711469513.7 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2017-12-29

公开号

CN108217629A

公开日

2018-06-29

申请人

西安理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C01B32_168

IPC 分类号

C01B32_168 , D06M11_77 , D06M101_40 ,

技术画像

所属领域

碳化硅纳米材料碳化硅纳米材料碳纳米管复合材料原位合成技术

应用场景

航空航天热防护, 高温结构材料, 耐磨涂层, 电子封装材料, 陶瓷基复合材料

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摘要

本发明公开了一种表面原位生成纳米SiC的复合CNTs的制备方法，通过同步超声分散和机械搅拌，在PVP乙醇溶液中将特定比例的纳米硅粉均匀粘附于CNTs表面，然后通过原位反应在CNTs表面生成一层纳米级厚度的SiC，形成具有芽杆或壳芯结构的SiC/CNTs复合材料。本发明方法制备的SiC/CNTs材料不破坏CNTs的结构，且能保证CNTs和SiC的分散均匀性，在基体材料中将减少CNTs与基体之间的直接接触，调控CNTs与基体之间的界面反应，增强CNTs与基体之间的界面结合，在提高金属基体力学性能的同时保留基体良好的导电、导热以及高延性。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20190723

✅ 授权

20180724

?? 实质审查的生效：

20180629

📄 公开

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议价

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