发明专利已授权

一种铅基杂化半导体材料及其X射线探测应用

Name: 一种铅基杂化半导体材料及其X射线探测应用
Brand: 济南大学
SKU: 2024102451023
Availability: InStock

📄 申请号：CN202410245102.3 📄 发布日：2026/11/05

著录项目信息

申请日

2024-03-05

公开号

CN118084818B

公开日

2026-09-18

申请人

济南大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C07D277_40

IPC 分类号

C07D277_40 , C07C209_00 , C07C211_05 , C09K11_06 , C09K11_66 , G01N23_083 ,

技术画像

所属领域

半导体材料半导体材料有机-无机杂化材料辐射探测材料

应用场景

X射线探测, 辐射探测, 医学影像, 工业无损检测, 安全检查

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摘要

本发明公开了一种一维铅基有机‑无机杂化光电半导体材料及其制备方法。所述的半导体分子结构式为(HATZ)(HEA)4Pb3I11，该材料具有一维有机‑无机杂化类型的结构，其中一维无机链的每个Pb原子都处于六配位(PbI6)八面体环境中。三个(PbI6)八面体以共享面连接到线性三核(Pb3I12)单元中，该单元进一步以末端I原子为相邻单元，沿c轴呈现锯齿形无限(Pb3I11)5‑链，(HATZ)+和(HEA)+阳离子在(Pb3I11)5‑链之间有序交错排列。通过选择乙酸铅，2‑氨基噻唑，乙胺和氢碘酸为反应原料，采用溶液法获得了化合物(HATZ）(HEA)4Pb3I11的单晶，可以用于X射线探测材料领域。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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