发明专利 已授权

一种基于和差分析的三阶稀疏阵列设计方法

📄 申请号:CN202411652879.8 📄 发布日:2026/09/11

著录项目信息

申请日
2024-11-19
公开号
CN119727833B
公开日
2025-10-10
申请人
宁波大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

雷达探测, 无线通信, 目标定位, 波达方向估计, 电子侦察

摘要

本发明公开了一种基于和差分析的三阶稀疏阵列设计方法,其选取两个线阵,第一线阵为密集均匀线阵,并计算第一线阵的二阶和共阵,计算第二线阵的二阶和共阵以及二阶差共阵,获取共阵中的最长段,基于此构造三阶稀疏阵列;再根据三阶稀疏阵列,通过合并四种三阶累积量构造三阶虚拟阵列即三阶穷举共阵;优点是通过对第二线阵的扩展和移位,将二阶稀疏阵列向三阶映射以适配三阶累积量模型,本发明充分利用了第二线阵的和差共阵的连续段,设计得到的三阶稀疏阵列的虚拟阵列(即三阶穷举共阵)中具有较长的连续部分,阵列的自由度数量得到了显著的提高。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

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