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53 件在售专利
本发明公开了一种爪极发电机整流电路故障诊断方法、系统、设备及介质,方法包括下述步骤:S1、根据待测爪极发电机的机械参数以及运作转速,利用解析法获取待测爪极发电机的理论电磁力空间阶次和频率信息;S2、采集待测测爪极发电机整机散逸至空气声场中的噪声时域信号;S3、获取待测电机的噪声频率谱;S4、对于步骤S3中获得的噪声频谱,识别其噪声幅度最大的谐波频率,并与S1解析计算的结果进行对比,根据二者峰值噪声谐波的频次是否相同,判断是否发生单管开路故障或短路故障。本发明基于输出直流电流和电机噪声时域信号,在无需对电机进行拆卸的情况下,能对车载爪极电机整流二极管单管断路和短路情况进行快速诊断。
📄 2022105261445 📂 G01R31_26 👤 华南农业大学 📅 2022-05-16
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本发明公开了雪崩光电二极管及其模组的感性冲击雪崩耐受测试方法,利用微亨级电感产生的反冲电压,通过对待测对象的电源输入端注入感性冲击能量,强制待测对象进入超过其击穿电压的深度雪崩状态;在所述深度雪崩状态的持续时间内,同步触发高速相机采集待测对象的瞬态电致发光光强分布图像,并同步记录电学波形;通过并联于待测对象的钳位保护电路提供过压保护。本发明解决了现有光电器件的静态测试方法无法模拟动态感性浪涌、传统功率器件UIS测试能量过大导致微小光电器件烧毁、现有手段无法对模组内部失效点进行可视化定位、依赖人工进行失效分析无法适应大规模量产筛选等技术难题。
📄 2026104642382 📂 G01R31_26 👤 龙岩学院 📅 2026-04-09
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本发明属于电容健康监测技术领域,公开了一种Boost变换器输出电容ESR的监测方法,包括:采样电感电流iL(t)与输出电压vo(t),获取交流分量vo_ac(t);获得电感电流不为零的时间占比Don+Doff的值;计算负载端电阻Ro的值;根据输出电压vo(t)和负载端电阻Ro与电感电流iL(t)的值拟合出电容电流iC(t)的波形;根据电容电流iC(t)与输出电压交流分量vo_ac(t)值计算得到ESR值。本发明提供的方法不需要增加额外的采样点,不影响变换器的正常工作,同时适用于CCM与DCM模式,为电容的健康监测提供依据。
📄 2022101223919 📂 G01R31_26 👤 南通大学 📅 2022-02-09
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本发明公开了一种冷热补偿的半导体耦合结构及其真空温控测试平台和方法,冷热补偿的半导体耦合结构包括散热底座、多级TEC半导体片、耦合片、PTC半导体片、平台台面和温度传感器;真空温控测试平台包括真空腔室;真空腔室内部固定有冷热补偿的半导体耦合结构;真空腔室外部具有智能温控系统。平台台面的温控调节速度快,可以实现快速升温降温,加热和制冷模块进行耦合的工作模式,起到对过冲温度进行快速自动调节的作用,避免了传统单一加热或制冷模式变温快时,温度过冲大,而温度过冲小时变温又慢的问题。
📄 2021103678613 📂 G01R31_26 👤 深圳万知达信息咨询有限公司 📅 2021-04-06
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一种利用电子束感应电流测量异质结界面复合速率的方法,同时考虑了耗尽区体复合和前界面复合,在耗尽区中同时考虑载流子的扩散运动和非均匀内建电场导致的漂移运动,获得了新的载流子收集几率函数。本发明通过电子束感应电流分析异质结界面复合的特性,这是影响异质结器件短波响应最重要的复合机制。通过测量值f(x)=IEBIC/Ib计算获得异质结界面的复合速率Sp,从而获得一组能够可靠评价异质结界面质量的参数。
📄 2024109827189 📂 G01R31_265 👤 浙江工业大学 📅 2024-07-22
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本发明适用于高压大容量直流变换器故障诊断技术领域,提供了一种面向CETDC子模块IGBT开路故障的在线诊断方法及系统,所述方法包括:构建多通道电容电压的融合表征;建立INFO算法优化的VMD自适应分解;构建复合适应度函数并约束寻优过程;建立基于包络熵统计特性的敏感模态筛选;构建敏感模态的多域特征向量并建立故障识别模型;建立可解释性分析与关键特征压缩。本发明能够在复杂工况与噪声扰动下保持高精度诊断,并通过“参数自适应分解‑敏感模态筛选‑关键特征压缩‑注意力时序识别‑可解释性验证”的闭环流程,提高在线部署的实时性、稳定性与工程可用性。
📄 2026105630236 📂 G01R31_26 👤 东北电力大学 📅 2026-04-27
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本发明涉及二极管检测的技术领域,特别涉及一种LED二极管检测系统及其方法,包括基底、安装侧板和检测装置,所述的基底上端面的左右两侧对称固定有安装侧板,安装侧板的上端之间连接有检测装置。本发明可以解决传统的LED二极管的检测效率则较低且精确度难以把握,不利于进行工业化生产,且通常只进行一次检测,会降低检测结果的准确度等问题。本发明设计了一种可对多个LED二极管进行引脚与环氧树脂之间的连接强度检测的设备,提升了LED二极管的检测效率,通过多次检测确保了检测结果的准确度,同时,在机械检测的基础上再通过电路检测对LED二极管进行质量检测,进一步筛选出内部质量较好的LED二极管。
📄 2021111828970 📂 G01R31_26 👤 安徽大学江淮学院 📅 2021-10-11
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本发明提供了一种LED芯片寿命快速估算方法,其包括有选两个样品、老化前初始反向电流的测量、高温下加快光通量衰减来进行老化测试、老化后反向电流的测量、和寿命的公式估算这几个步骤,这样通过施加反向电压来测得样品在光衰减前后的反向电流,再利用计算公式就可快速估算出LED芯片的寿命,从而缩短产品研发周期,为改善LED芯片寿命提供了更有力的保障,并能有效缩短LED芯片寿命估算时间,减小试验成本。
📄 2014106985011 📂 G01R31_26 👤 电子科技大学中山学院 📅 2014-11-26
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本发明提供了一种LED芯片寿命加速估算方法,其包括有选两个样品、老化前两个不同反向电压下初始反向电流的测量、高温下加快光通量衰减来进行老化测试、老化后两个不同反向电压下反向电流的测量、和寿命的公式估算这几个步骤,这样通过施加两个不同反向电压来测得样品在光衰减前后的反向电流,再利用计算公式就可加速估算出LED芯片的寿命,从而缩短产品研发周期,为改善LED芯片寿命提供了更有力的保障,并能有效缩短LED芯片寿命估算时间,减小试验成本。
📄 2015104540361 📂 G01R31_26 👤 电子科技大学中山学院 📅 2015-07-30
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本申请涉及一种高压直流电缆用半导电层电荷发射测试方法及装置,属于发射电荷测试领域。所述方法包括:S1来自电源端的电压加载于第一电极上,然后依次传递至半导电层、试品和第二电极,上述过程形成一个电路回路;所述第一电极内形成空心区;S2:持续给装置加载电压,直至达到测试要求时间,断开电源;S3:移走装置,保留试品;S4:测量所述试品第一区的电荷。所述装置包括电源端和与其相连的第一电极,所述第一电极内形成空心区,所述第一电极与半导电层相接触,所述半导电层与待测试品相接触,所述试品放置在第二电极上。本申请可测试半导电层是否对试品发射电荷,以便改进或合理利用材料。
📄 2017111077462 📂 G01R31_26 👤 青岛科技大学 📅 2017-11-10
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本发明公开了一种基于界面态陷阱能级分布的图像传感器质量检测方法。本发明基于半物理‑半解析的建模思路描述了不同界面态陷阱能级分布下满阱容量动态变化的行为,从而解决了现有PPD满阱容量检测方法中对于界面态陷阱设计考虑不完全导致所得结果仅能反应满阱容量最大值的技术问题。本发明不仅能够更加合理、准确的预测满阱容量在不同界面态陷阱能级分布下的满阱容量的动态行为,而且本发明得到的满阱容量的值是在一段区间动态变化的,这直接关系着图像传感器的成像质量问题,通过提供PPD满阱容量的分布情况为图像传感器的电路设计提供依据。
📄 2020108624719 📂 G01R31_265 👤 杭州电子科技大学 📅 2020-08-25
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一种集成电路测试基座
实用新型 已授权
本实用新型公开了一种集成电路测试基座,涉及集成电路技术领域,包括包括固定安装在底座的顶部的固定杆,所述固定杆上活动套设有转动管,且所述转动管与所述底座转动连接,所述固定杆的顶部固定安装有横板,所述横板的底部固定安装有两个电动推杆,两个所述电动推杆的输出轴上固定安装有衔接板,所述衔接板的底部固定安装有测试板,所述转动管上固定安装有四个固定板,四个所述固定板的一侧分别固定安装有矩形框板,四个所述矩形框板的一侧内壁上分别固定安装有固定L形放置板,四个所述矩形框板内分别设置有移动L形放置板,四个所述移动L形放置板的一侧外壁上分别固定安装有滑动杆。
📄 2024212281217 📂 G01R31_26 👤 深圳市旺年华电子有限公司 📅 2024-05-31
已申报项目
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发明 已授权
发明 已授权
发明 已授权

一种Boost变换器输出电容ESR的监测方法

2022101223919 · 南通大学
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发明 已授权

冷热补偿的半导体耦合结构及其真空温控测试平台和方法

2021103678613 · 深圳万知达信息咨询有限公司
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发明 已授权
发明 已授权
发明 已授权

一种LED二极管检测系统及其方法

2021111828970 · 安徽大学江淮学院
¥0.0
发明 已授权

一种LED芯片寿命快速估算方法

2014106985011 · 电子科技大学中山学院
¥0.0
发明 已授权

一种LED芯片寿命加速估算方法

2015104540361 · 电子科技大学中山学院
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发明 已授权

高压直流电缆用半导电层电荷发射测试方法及装置

2017111077462 · 青岛科技大学
¥0.0
发明 已授权

一种基于界面态陷阱能级分布的图像传感器质量检测方法

2020108624719 · 杭州电子科技大学
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实用新型 已授权

一种集成电路测试基座

2024212281217 · 深圳市旺年华电子有限公司
已申报项目
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交易类型:转让
交易金额:¥680万
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转让方:××科技公司
受让方:××能源集团
交易类型:开放许可
交易金额:¥50万/年