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一种导电基底上垂直生长MXene的方法

📄 申请号：CN201910891263.9 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2019-09-20

申请人

浙江工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C01B32_90

IPC 分类号

C01B32_90 , C01B21_06 ,

技术画像

所属领域

MXene材料 MXene材料二维材料纳米材料制备

应用场景

储能器件, 电催化, 传感器, 导电薄膜

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摘要

一种导电基底上垂直生长MXene的方法，包括：(1)：选取导电基底，进行预处理；(2)：将步骤(1)处理后的导电基底浸在MXene分散液中，使导电基底与MXene分散液充分接触；(3)：将步骤(2)处理后的导电基底进行冷冻干燥处理，所述冷冻干燥处理按照如下实施：①梯度冷凝：取结构如图所示的梯度冷凝模具，将梯度冷凝模具部分浸在冷凝介质中，确保整个长方体模块A及部分楔形模块B与冷凝介质直接接触，且楔形模块C不与冷凝介质直接接触，将导电基底置于楔形模块C上，在冷凝介质中冷冻1～20min，获得冻结好的导电基底；②将冻结好的导电基底转移至冷冻干燥机中，进行后续升温干燥操作，获得MXene基导电基底，其中MXene以垂直排列的方式生长在导电基底表面。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：15 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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