发明专利已授权

一种空化和芬顿反应辅助的碳化硅平面低压均匀化抛光方法和装置

📄 申请号：CN201910497026.4 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2019-06-03

申请人

浙江工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

B24B31_116

IPC 分类号

B24B31_116 , B24B1_04 , H01L21_304 ,

技术画像

所属领域

化学机械抛光化学机械抛光半导体晶圆加工超精密加工

应用场景

碳化硅衬底抛光, 半导体晶圆制造, 功率器件加工, 精密表面处理

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摘要

本发明公开一种空化和芬顿反应辅助的低压均匀化抛光方法和装置，该方法先利用芬顿反应对待加工工件进行预处理，在其表面生成二氧化硅腐蚀层，降低其表面的硬度，再利用空化效应，在磨粒流中产生空化泡，增大磨粒的运动随机性，使碳化硅表面附近的磨粒动能更大，以提高加工效率。用经空化作用的磨粒流抛光芬顿预处理的碳化硅工件，并采用与工件表面所夹角度可调的约束模块，使磨粒流在流动方向上对加工表面的剪应力均匀，达到均匀抛光的目的。采用本发明的抛光方法和装置抛光的工件表面均匀、加工效率高、表面粗糙度低、表面质量高。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20200911

✅ 授权

20190924

?? 实质审查的生效：

20190830

📄 公开

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议价

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📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：14 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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