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发明专利
已授权
一种批量写入遗忘忆阻桥交叉架构的读写方法、系统
📄 申请号:CN202211060846.5
📄 发布日:2026/08/04
著录项目信息
申请日
2022-08-31
公开号
CN115438779B
公开日
2025-12-23
申请人
西南大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
G06N3_063
IPC 分类号
G06N3_063
,
G06N3_0442
,
技术画像
所属领域
忆阻器
忆阻器
交叉阵列存储
存储器读写控制
应用场景
存储设备, 神经形态计算, 存算一体芯片, 嵌入式存储, 大数据存储
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摘要
本发明提出了一种批量写入遗忘忆阻桥交叉架构的读写方法、系统。采用批量写入遗忘忆阻桥构建忆阻交叉架构,所述忆阻交叉架构的输入信号包括五线谱行信号和列信号;所述行信号用于确定选中行和非选中行,选中行和非选中行连接不同写信号,选中行上的忆阻桥上的电压高于设置阈值,非选中行上的忆阻桥的电压低于设置阈值;根据所述列信号的占空比对选中行中的忆阻桥写入长短时记忆正负权值和零权值,对非选中行进行电路保护。该方法的写入权值范围更广,功能更强大,更便于控制,电路安全性更高。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
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