发明专利已授权

一种LIGBT型高压ESD保护器件

📄 申请号：CN201810992989.7 📄 发布日：2026/07/28

著录项目信息

申请日

2018-08-29

公开号

CN109244068B

公开日

2020-11-03

申请人

南京邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L27_02

IPC 分类号

H01L27_02

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件功率半导体器件静电防护

应用场景

集成电路, 高压芯片, 电源管理, 汽车电子, 工业控制

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摘要

本发明揭示了一种LIGBT型高压ESD保护器件，包括堆叠设置的衬底层及埋氧层，埋氧层上方覆盖有漂移层，漂移层的上端设有漏极阱与源极阱，漂移层的上端面覆盖设置有多晶硅栅极，漂移层的上端形成有掺杂区，掺杂区位于漏极阱与源极阱之间，漏极阱的上端形成有漏极重掺杂区，源极阱的上端分别形成有第一源极重掺杂区、第二源极重掺杂区以及第三源极重掺杂区，漂移层的上端面还覆盖有多个用于不同掺杂区域间隔离的场氧隔离区；漏极重掺杂区与漏极外接导线相连，掺杂区与第三源极重掺杂区导线相连，多晶硅栅极、第一源极重掺杂区以及第二源极重掺杂区导线相连接地。本发明能够显著降低器件的触发电压、提高维持电压，满足器件的ESD防护要求。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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