发明专利已授权

一种基于液相法生长碳化硅的热场优化方法

Name: 一种基于液相法生长碳化硅的热场优化方法
Brand: 西安交通大学
SKU: 2025115965528
Availability: InStock

📄 申请号：CN202511596552.8 📄 发布日：2026/07/24

著录项目信息

申请日

2025-11-04

公开号

CN121046933B

公开日

2026-03-03

申请人

西安交通大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C30B15_14

IPC 分类号

C30B15_14 , C30B15_20 , C30B29_36 , G16C60_00 , G16C20_10 , G16C20_20 , G16C20_70 ,

技术画像

所属领域

碳化硅单晶生长碳化硅单晶生长液相法晶体生长热场优化

应用场景

碳化硅衬底制造, 功率半导体器件, 新能源汽车, 光伏逆变器, 半导体晶体生长设备

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摘要

本申请公开了一种基于液相法生长碳化硅的热场优化方法，基于第一加热参数对处于第f形态下的石墨坩埚进行加热，使与第f形态对应的第一性能参数满足第一预设条件；第一性能参数包括石墨坩埚和石墨坩埚中硅熔体的交界面的第一碳浓度梯度；第一预设条件包括第一碳浓度梯度小于预设碳浓度梯度；根据第一碳浓度梯度和界面位移量计算模型，获取在目标时长之后石墨坩埚的目标界面位移量；根据第f形态和目标界面位移量得到石墨坩埚的第f+1形态；基于第二加热参数对处于第f+1形态下的石墨坩埚进行加热，使与第f+1形态对应的第一性能参数满足第一预设条件，本申请可以实现对碳化硅的热场优化，避免石墨坩埚形变对碳化硅晶体生长影响。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN121046933B

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该专利的转让价格是多少？

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种氧化镓晶体的断裂风险评估方法和电子设备

当前第 / 件

一种塑料热熔废气处理装置

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