发明专利已授权

一种氧化镓晶体的断裂风险评估方法和电子设备

📄 申请号：CN202511563289.2 📄 发布日：2026/07/24

著录项目信息

申请日

2025-10-30

公开号

CN121034459B

公开日

2026-03-06

申请人

西安交通大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G16C20_40

IPC 分类号

G16C20_40 , G16C20_30 , G06F30_20 , C30B15_20 , C30B29_40 , G06F119_08 , G06F119_14 ,

技术画像

所属领域

电子设备半导体材料晶体生长断裂力学风险评估电子设备

应用场景

氧化镓晶体生长, 半导体衬底制备, 晶圆加工, 功率半导体器件, 材料可靠性评估

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摘要

本发明提供了一种氧化镓晶体的断裂风险评估方法和电子设备，涉及晶体生长技术领域；所述方法包括：获取氧化镓晶体的目标几何形状以及在目标几何形状下氧化镓晶体中网格点的温度分布数据、各向异性热膨胀张量和刚度矩阵；根据目标几何形状、各向异性热膨胀张量、刚度矩阵和温度分布数据，获取网格点的热应力张量；根据热应力张量，确定氧化镓晶体中目标晶面所受到的法向分正应力；获取目标晶面对应的临界解理应力；基于法向分正应力和临界解理应力，确定氧化镓晶体的断裂风险。本发明实施例提高了对氧化镓晶体的断裂风险的评估结果准确性。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：38 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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