发明专利已授权

导模法生长氧化镓晶体的网格确定方法、设备和存储介质

📄 申请号：CN202510480016.5 📄 发布日：2026/07/24

著录项目信息

申请日

2025-04-17

公开号

CN120082957A

公开日

2025-06-03

申请人

西安交通大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C30B15_34

IPC 分类号

C30B15_34 , C30B15_20 , C30B29_16 ,

技术画像

所属领域

晶体生长晶体生长半导体材料数值模拟

应用场景

半导体衬底, 功率电子器件, 光电子器件, 射频器件

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摘要

本发明提供了一种导模法生长氧化镓晶体的网格确定方法、设备和存储介质，涉及晶体生长技术领域。所述方法包括：根据晶体生长炉、氧化镓熔体和氧化镓晶体，建立几何模型；将几何模型中的模具区域、液桥区域和晶体区域确定为第一区域，并对第一区域进行六面体网格划分，得到第一六面体网格；从几何模型的气体区域中确定第二区域，并对第二区域进行六面体网格划分，得到第二六面体网格；在构成结晶界面的目标网格面中的第一网格节点发生移动的情况下，对第二网格面中的第二网格节点进行移动。本发明实施例可以提高通过数值模拟的方式确定出的结晶界面的准确性。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种石墨坩埚和碳化硅单晶生长装置

当前第 / 件

一种熔体法晶体生长的外加行波磁场控制方法

同领域国内专利 · IPC: (C30B15_34)

C30B15_00 C30B15_02 C30B15_04 C30B15_14 C30B15_20 C30B15_22 C30B15_34 覆盖7个领域

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：32 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

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