发明专利已授权

一种石墨坩埚和碳化硅单晶生长装置

📄 申请号：CN202510402356.6 📄 发布日：2026/07/24

著录项目信息

申请日

2025-04-01

公开号

CN120138814B

公开日

2025-09-16

申请人

西安交通大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C30B35_00

IPC 分类号

C30B35_00 , C30B29_36 , C30B11_00 ,

技术画像

所属领域

碳化硅单晶生长碳化硅单晶生长晶体生长设备石墨坩埚

应用场景

半导体衬底制造, 功率半导体器件, 新能源汽车, 射频通信, 光伏逆变器

AI 智能推荐 · 同申请人专利 · 搜索相似专利

摘要

本申请公开了一种石墨坩埚和碳化硅单晶生长装置，涉及半导体技术领域。石墨坩埚包括坩埚本体，坩埚本体设有容纳腔，容纳腔用于容纳硅料，容纳腔具有沿第一方向相对的腔口和腔底，腔底朝向容纳腔内的一侧设有第一凹槽，第一凹槽用于汇集熔融硅料中的多晶颗粒。这样在使用本申请的石墨坩埚生成碳化硅单晶时，设置在容纳腔腔底的第一凹槽能够对流经的熔融硅料进行扰动，从而形成局部涡旋流动，进而能够汇集熔融硅料中的多晶颗粒，使得多晶颗粒更多地汇集在容纳腔底部，减少多晶颗粒流动至碳化硅单晶的生长界面，进而降低多晶颗粒对碳化硅单晶生成的影响，从而提高碳化硅单晶生成的质量。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

导模法生长氧化镓晶体的模具设计方法、模具和生长炉

当前第 / 件

导模法生长氧化镓晶体的网格确定方法、设备和存储介质

同领域国内专利 · IPC: (C30B35_00)

C30B35_00 覆盖1个领域

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：38 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

✓ 企业认证✓ 手机绑定历史成交 0件好评率 98.5%

📊 出价记录 (3条)

王**¥-10万

李** 企业¥-8万

陈**¥-3万

查看全部出价

我要出价 (议价)

一种石墨坩埚和碳化硅单晶生长装置

著录项目信息

技术画像

所属领域

应用场景

摘要

法律状态时间线

同领域国内专利 · IPC: (C30B35_00)

相似专利推荐 AI 驱动 · 同领域

一种纳米线氢气传感芯片、氢气泄漏检测系统及方法

用熔渗法制备单畴钆钡铜氧超导块材的方法

单畴钆钡铜氧超导块材的制备方法

服务项目

资源中心

关于柿子坊