本申请公开了一种石墨坩埚和碳化硅单晶生长装置，涉及半导体技术领域。石墨坩埚包括坩埚本体，坩埚本体设有容纳腔，容纳腔用于容纳硅料，容纳腔具有沿第一方向相对的腔口和腔底，腔底朝向容纳腔内的一侧设有第一凹槽，第一凹槽用于汇集熔融硅料中的多晶颗粒。这样在使用本申请的石墨坩埚生成碳化硅单晶时，设置在容纳腔腔底的第一凹槽能够对流经的熔融硅料进行扰动，从而形成局部涡旋流动，进而能够汇集熔融硅料中的多晶颗粒，使得多晶颗粒更多地汇集在容纳腔底部，减少多晶颗粒流动至碳化硅单晶的生长界面，进而降低多晶颗粒对碳化硅单晶生成的影响，从而提高碳化硅单晶生成的质量。
📄 2025104023566
📂 C30B35_00
👤 西安交通大学
📅 2025-04-01
本申请提供了一种利用坩埚旋转强制驱动粘附气泡的方法，属于晶体生长技术领域，旨在为坩埚旋转驱除晶体生长过程中的气泡提供指导，所述方法包括：根据熔体和坩埚的尺寸结构参数，构建气泡运动模型；在所述气泡运动模型的坩埚的垂直壁面和倾斜壁面设置气体入口，并通过所述气泡运动模型模拟坩埚旋转驱动所述气泡运动的过程；采用多个坩埚转速分别驱动所述气泡运动模型中的熔体与不同壁面之间不同接触角的气泡，并通过控制气体的注入时间调整所述气泡的等效直径，直至所述气泡发生定向滑移运动；根据多个所述坩埚转速对应的临界滑移参数，获取坩埚旋转对每个接触角的气泡的运动的控制规律；根据所述控制规律，利用所述坩埚旋转强制驱动所述熔体中的气泡运动。
📄 2024102792263
📂 C30B35_00
👤 西安交通大学
📅 2024-03-12
本实用新型公开了一种人工晶体生长用坩埚旋转升降机构，涉及人工晶体加工技术领域，包括高度调节机构，高度调节机构内侧安装有转动机构，转动机构上部设置有定位机构，定位机构与高度调节机构侧面固定连接。本实用新型，通过二号丝杠与二号丝块的配合，利用其表面两道方向相反的螺纹驱动两个三号安装架同步靠拢或分离，带动夹持杆将坩埚自动推送至放置台中心，解决了人工放置难以对中的核心问题，夹持杆的同步推动可消除手动放置的偏心误差，避免旋转时离心力引发的熔体表面径向波动，有效抑制环形成分偏析带与生长条纹缺陷。
📄 2025214430795
📂 C30B35_00
👤 成都扬网吉览网络科技有限公司
📅 2025-07-10
本实用新型适用于材料学技术领域，提供了一种硫酸钙晶须结晶装置，包括；结晶箱；加热板，所述加热板固定安装在结晶箱的底部；定位板，所述定位板阵列安装在结晶箱的顶部；支撑板，所述支撑板固定安装在定位板的顶部；搅拌杆，所述搅拌杆固定安装在定位板的中部，且延伸至结晶箱的内部；喷洒管。与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：在使用时，通过在搅拌杆表面的顶端设置喷洒管，并与反应物输送结构相连通，进而可以从高处进行二水硫酸钙的喷洒工作，进而避免了喷洒管浸泡在酸性溶液中，导致内部结晶的情况出现，且由于设置在搅拌杆上，进而可以进行旋转喷洒，并对混合物进行搅拌，加快结晶速度。
📄 2024229747727
📂 C30B35_00
👤 安徽智朗环保科技有限公司
📅 2024-12-04
本发明公开了一种单晶炉自动加料装置，涉及单晶炉技术领域，包括过滤箱，所述过滤箱的下表面固定连接有下料箱，所述下料箱的内部设置有装料箱，所述装料箱的外侧固定安装有第二滑块，所述下料箱的内侧开设有第二滑槽，所述第二滑块与第二滑槽滑动连接，所述第二滑槽的内部固定连接有第二伸缩弹簧，本发明的有益效果为：硅料能够通过第一通孔落入到装料箱的内部，随着装料箱的重力不断增加，此时密封板能够将第一通孔进行封闭，并且设置的堵头从第二通孔的内部移出，从而装料箱内部的硅料通过第二通孔排入到下料箱的底部，最后通过排料管排入到单晶炉中，从而达到了自动加料的效果，节约了大量人力与时间。
📄 2022104939051
📂 C30B35_00
👤 华东交通大学
📅 2022-05-08
本实用新型适用于石墨坩埚技术领域，提供了一种半导体芯片生产用的石墨坩埚，包括：第一石墨坩埚本体和第二石墨坩埚本体，所述第一石墨坩埚本体位于第二石墨坩埚本体的上方，且第一石墨坩埚本体和第二石墨坩埚本体一体压铸成型；开设于所述第一石墨坩埚本体顶部的倒液槽；设于所述第二石墨坩埚本体内部底部中央位置处的石墨棒；通过石墨棒、凹槽和蜂窝孔的设置，可以将第二石墨坩埚本体底部的火焰进行聚集并将热量传导至第一石墨坩埚本体和第二石墨坩埚本体的内部中央位置处，使得第一石墨坩埚本体和第二石墨坩埚本体内的原料在中间和外围同步受热，进而保证原料热熔的均匀，提高热熔的效率。
📄 2024201032723
📂 C30B35_00
👤 丹东锐芯微电子有限公司
📅 2024-01-16
本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长炉操作台，涉及碳化硅晶体生长炉技术领域，包括操作台主体支架，操作台主体支架的顶部设有台面，台面的中部设有用于安装碳化硅晶体生长炉的槽口，台面为宽面结构，碳化硅晶体生长炉与台面边缘之间构成行走区；操作台主体支架的一侧设有活动连接的下箱体和上箱体，下箱体、上箱体处于抽出状态后，与台面组成梯台；下箱体与操作台主体支架之间设有直线驱动机构，直线驱动机构设置在下箱体内部；下箱体的顶部后方设有用于推动上箱体的推板；在下箱体被推出后，上箱体与操作台主体支架之间设有用于下箱体自动收回操作台主体支架内部的复位装置。
📄 202320403644X
📂 C30B35_00
👤 南京宏泰晶智能装备科技有限公司
📅 2023-03-06
已申报项目
本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长炉加热模块升降机构，涉及碳化硅晶体生长炉技术领域，包括轨道架，轨道架固定在操作台上，轨道架设置在炉体的一侧，并高于炉体，轨道架内设有适配的移动架，轨道架上设有用于驱动移动架升降的直线驱动机构；移动架的朝向炉体的一侧固定连接有支架立板，支架立板的两端固定设有半圆结构的上叉臂和下叉臂，上叉臂和下叉臂之间固定有加热高频线圈，加热高频线圈套设在炉体的外侧，炉体的外部固定有贯穿在上叉臂和下叉臂的支撑杆，支撑杆的下部与下叉臂之间设有销轴。本实用新型可调节炉内轴向温度梯度，另外，该升降机构可将炉体进行提升，使坩埚外露，方便坩埚的取放，可提高工作效率。
📄 2023204348475
📂 C30B35_00
👤 南京宏泰晶智能装备科技有限公司
📅 2023-03-08
已申报项目
本实用新型涉及高纯硅晶体材料技术领域，且公开了一种用于高纯硅晶体材料制备的蒸馏设备，包括蒸馏箱、支撑腿，所述蒸馏箱内部设置有防堵机构，所述防堵机构包括有电机、转动杆、搅拌杆、挤压板、移动杆，所述电机底部与蒸馏箱顶部固定连接，所述电机输出端与转动杆顶部固定连接，所述转动杆外壁与搅拌杆一端固定连接，所述搅拌杆另一端与挤压板一侧挤压接触，所述挤压板另一侧与移动杆一端固定连接，实现了能够更好对高纯硅晶体材料进行蒸馏，解决了高纯硅晶体材料容易堆积在一起，从而容易导致受热不均匀的问题，提高了蒸馏效果，防止了高纯硅晶体材料残留在蒸馏箱内壁，提高了蒸馏设备的工作效率。
📄 2023210469299
📂 C30B35_00
👤 江苏中腾石英材料科技股份有限公司
📅 2023-05-05
已申报项目
一种带有泄压结构的单晶炉炉盖，涉及炉盖泄压技术领域：包括炉体；炉体的上方设置有炉盖体；所述的炉盖体包括密封条；固定环的表面位置设置有多个导向条；凹槽内滑动连接有滑板；所述的固定环一侧设置有固定板；在使用的时候，将炉盖体通过密封条与炉体密封扣合，这样可以有效的保证内部的气体发生泄露的情况，炉盖体的内部呈夹层设置，在夹层内设置有固定环，在固定环的表面设置有多个导向条，在导向条上开设有凹槽，在凹槽内滑动连接有滑板，滑板的顶部设置有挡板，挡板设置有多个，在两个相邻的挡板之间位置设置固定板，固定板呈一体式设置，固定板与固定环呈一体设置，挡板通过滑板在凹槽内的滑动实现与规固定板之间的密封和分离。
📄 2023217882028
📂 C30B35_00
👤 江苏安惠环境设备科技有限公司
📅 2023-07-10
一种带有清扫结构的单晶炉副室，涉及单晶炉副室清扫技术领域：包括外壳体；外壳体的内部设置清扫组件；清扫组件包括分隔板；所述的伸缩杆的外侧套设有弹簧；伸缩杆的一端设置有支撑杆；支撑杆一端设置有清扫板；移动杆通过滑块安装在清扫板一侧的滑槽内，移动杆的另一端通过固定架与转台活动安装；在使用时，在清扫组件上设置有伸缩杆，在伸缩杆的一端固定安装有支撑杆，在支撑杆远离伸缩杆的一端设置有清扫板，在清扫板的一侧开设有滑槽，在滑槽内滑动安装有滑块，滑块活动安装有移动杆，移动杆的另一端通过固定架与转台活动连接，在底部驱动电机的带动下实现带动伸缩杆和清扫板的转动，通过钢丝刷实现对内壁的清扫。
📄 2023217027326
📂 C30B35_00
👤 江苏安惠环境设备科技有限公司
📅 2023-07-01
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