碳化硅单晶生长 - 专利交易市场|柿子坊知识产权运营平台

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法律状态：全部已授权审中

项目申报：全部报过没有报过

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本申请公开了一种石墨坩埚和碳化硅单晶生长装置，涉及半导体技术领域。石墨坩埚包括坩埚本体，坩埚本体设有容纳腔，容纳腔用于容纳硅料，容纳腔具有沿第一方向相对的腔口和腔底，腔底朝向容纳腔内的一侧设有第一凹槽，第一凹槽用于汇集熔融硅料中的多晶颗粒。这样在使用本申请的石墨坩埚生成碳化硅单晶时，设置在容纳腔腔底的第一凹槽能够对流经的熔融硅料进行扰动，从而形成局部涡旋流动，进而能够汇集熔融硅料中的多晶颗粒，使得多晶颗粒更多地汇集在容纳腔底部，减少多晶颗粒流动至碳化硅单晶的生长界面，进而降低多晶颗粒对碳化硅单晶生成的影响，从而提高碳化硅单晶生成的质量。

📄 2025104023566 📂 C30B35_00 👤 西安交通大学 📅 2025-04-01

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一种石墨坩埚和碳化硅单晶生长装置

2025104023566 · 西安交通大学

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