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导模法生长氧化镓晶体的模具设计方法、模具和生长炉

Name: 导模法生长氧化镓晶体的模具设计方法、模具和生长炉
Brand: 西安交通大学
SKU: 2025102932846
Availability: InStock

📄 申请号：CN202510293284.6 📄 发布日：2026/07/24

著录项目信息

申请日

2025-03-13

公开号

CN119800490B

公开日

2025-06-10

申请人

西安交通大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C30B15_34

IPC 分类号

C30B15_34 , C30B29_16 ,

技术画像

所属领域

模具设计半导体材料晶体生长晶体生长设备模具设计

应用场景

功率半导体器件, 半导体衬底, 电力电子器件, 射频器件, 光电子器件

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摘要

本发明提供了一种导模法生长氧化镓晶体的模具设计方法、模具和生长炉，涉及晶体生长技术领域；所述方法包括：基于包括待设计模具的晶体生长炉和氧化镓晶体确定结晶界面；在待设计模具的顶部边沿与结晶界面边沿之间的最大距离小于目标距离且结晶界面不满足目标条件的情况下，对待设计模具进行一次凹槽处理；在最大距离等于目标距离且结晶界面不满足目标条件的情况下，对待设计模具进行二次凹槽处理，直至结晶界面满足目标条件；在最大距离小于或者等于目标距离并且结晶界面满足目标条件的情况下，将待设计模具确定为目标模具。本发明实施例提高了氧化镓晶体的晶体生长过程的稳定性和晶体生长质量。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN119800490B

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：103 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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