发明专利已授权

一种在金属上直接生长碳纳米管阵列的简易方法及应用

📄 申请号：CN201710615993.7 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2017-07-25

公开号

CN107400928B

公开日

2019-08-06

申请人

东北石油大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C30B29_60

IPC 分类号

C30B29_60 , C30B29_02 , C30B25_18 , C30B25_02 ,

技术画像

所属领域

纳米材料纳米材料碳纳米管制备化学气相沉积

应用场景

场发射器件, 储能器件, 导电复合材料, 传感器, 电子器件

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摘要

一种在金属上直接生长碳纳米管阵列的简易方法及应用，它涉及一种在金属表面改性的方法及应用。本发明的目的是要解决现有碳纳米管与硅基底的结构强度低，金属基底上很难生长碳纳米管和在合金表面生长碳纳米管使用的载气危险，溶剂毒性大，不适合工业化推广的问题。方法：一、刻蚀处理；二、通入氮气，启动管式炉；三、注射二茂铁和环己烷的混合液，反应30min～120min；四、关闭管式炉，在氮气保护下自然冷却至室温，得到表面生长有碳纳米管阵列的金属基底。本发明制备的碳纳米管阵列与金属基底的剪切结合强度达到了0.95MPa。本发明可获得一种在金属上直接生长碳纳米管阵列的简易方法。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

基于微流控技术与线阵探测器的流式细胞仪

当前第 / 件

一种超薄多孔Co纳米片的制备方法

同领域国内专利 · IPC: (C30B29_60)

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