发明专利已授权

一种基于N型局部有源忆阻器的自治混沌电路

📄 申请号：CN202010484312.X 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2020-06-01

公开号

CN111817700B

公开日

2023-09-29

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H03K19_00

IPC 分类号

H03K19_00 , H04L9_00 ,

技术画像

所属领域

忆阻器忆阻器混沌电路非线性系统

应用场景

保密通信, 信息加密, 随机数生成, 信号发生器, 电子对抗

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摘要

本发明公开了一种基于N型局部有源忆阻器的自治混沌电路，由一个N型局部有源忆阻器、一个电感L、一个直流电压源VD、一个正弦电压源vD串联组成。N型局部有源忆阻器是一种整体无源局部有源忆阻器，其在直流V‑I特性曲线中呈现N型负微分电导。通过对该具有特殊数学模型的N型局部有源忆阻器和电感构成的串联电路，施加合适的直流电压偏置和正弦驱动电压后，使局部有源忆阻器工作在负微分电导区域并使其产生混沌现象，填补了现有技术使用N型局部有源忆阻器组成自治混沌电路研究的空白。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种卷积神经网络加速器的前向传播计算加速方法

当前第 / 件

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同领域国内专利 · IPC: (H03K19_00)

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