本发明公开了一种基于CMOS反相器和忆阻器构成的全加电路，包括四个CMOS反相器，其中：第一反相器和四个忆阻器构成一个异或门电路，第四反相器和另外四个忆阻器构成一个同或门电路，第二反相器和第三反相器分别接收初始进位信号VCin，第二反相器的上端与第一反相器的输入端连接，第二反相器的下端与第四反相器的输入端连接，由第二反相器输出进位信号VCout，异或门电路的输出端连接在第三反相器的上端，同或门电路的输出端连接在第三反相器的下端，由第三反相器输出和电压VSum。其效果是：该电路使逻辑电路融合了计算存储功能，大幅减少了逻辑操作步骤，精简了电路所需元件，使电路成本进一步降低，提高电路的集成度。
📄 2018103573145
📂 H03K19_017
👤 海口明智投资有限公司
📅 2018-04-20
本申请实施例提供一种韦根接口电路以及通信设备，该韦根接口电路包括第一接口电路和第二接口电路，第一接口电路包括第一驱动信号源、第一电平转换模块、第一控制模块和第一发送模块；第二接口电路包括第二驱动信号源、第二电平转换模块、第二控制模块和第二发送模块；在第一驱动信号源输出的信号脉冲的占空比大于第一阈值，并且第一驱动信号源输出的信号脉冲在第一数据传输周期内处于持续高电平的情况下，第一控制模块和第一电平转换模块控制第一发送模块的输出端在第一数据传输周期内处于弱驱动的高电平状态。本申请实施例可以解决韦根接口电路的总线漏电问题。
📄 2020206480624
📂 H03K19_0175
👤 南京满厚网络科技有限公司
📅 2020-04-24
本发明涉及一种基于MOSFET实现负压关断的驱动电路，包括第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、MOSFET管、稳压管、二极管和双向稳压管；本发明具有较好的动态性能，具有一定的保护能力且能够实现负压关断，减小关断时间和关断损耗且保证开关管的安全工作。
📄 2020113814959
📂 H03K19_0175
👤 福州大学
📅 2021-01-05
本发明涉及一种基于C单元的三节点翻转自恢复锁存器，包括矩阵存储模块和八个传输门；所述矩阵存储模块由十六个二输入C单元组成，所述八个传输门包括第一传输门TG1、第二传输门TG2、第三传输门TG3、第四传输门TG4、第五传输门TG5、第六传输门TG6、第七传输门TG7和第八传输门TG8；所述第一传输门TG1、第二传输门TG2、第三传输门TG3、第四传输门TG4的信号输入端均作为锁存器的数据输入端D，所述第四C单元CE4的第一信号输入端作为锁存器的数据输出端。本发明提高了锁存器电路的可靠性；在锁存器输入端和输出端要求具有同向逻辑值的情况下，本发明提供的锁存器未增加面积开销。此外，由于在透明模式下，输入端和输出端仅存在一个传输门，传播延迟大大降低。
📄 2020111121471
📂 H03K19_017
👤 安徽大学
📅 2020-10-16
本发明请求保护一种高速耐压电平转换电路，包括电平转换核心电路及输出反相器等。本发明采用由NMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、PMOS管M11、PMOS管M12等6个MOS管作为输入驱动管以及由交叉耦合对管PMOS管M7、PMOS管M8构成锁存器等技术实现高速转换性能，采用MOS管堆栈结构提高电路耐压性能，同时输出反相器中PMOS管M15的源极接外部高电源2VDD以及NMOS管M16的源极接外部低电源VDD，从而实现一种高速耐压的电平转换电路。
📄 2019111975489
📂 H03K19_0175
👤 重庆邮电大学
📅 2019-11-29
本实用新型公开了一种智能型液压剪控制单元，包括光耦隔离型输入单元、电源稳压单元、CPU单元、编程接口、电源输入和高速输出单元，所述光耦隔离型输入单元将外部信号经过光耦隔离后转换为CPU单元可以接受的信号类型，CPU单元将输入信号分析后输出到高速输出单元，编程接口与CPU单元连接，电源稳压单元将电源降压至CPU单元的工作电压，电源输入为电源稳压单元和高速输出单元提供电源。有益效果：简化外部线路，输入输出可编程，能实现不同的阀组控制要求，灵活易用，工作电压范围宽(DC6‑36V)，现场适应性强，PWM输出，可以驱动比例阀，更强的工况适应性，无机械触点，寿命长，按键无冲突，可同时开(合)剪、左(右)旋。
📄 2020223748234
📂 H03K19_0175
👤 烟台慧达智能装备有限公司
📅 2020-10-22
已申报项目
本发明公开了一种单变量控制模拟选通门电路，包括一组控制线和一组信号线，信号线包含四条支路；本发明单变量控制模拟选通门电路首先在输入端准备好原信号的反相信号，并将每一路信号(即原信号或者反相信号)用电阻和二极管构成的两支传输链路来传输其正半周和负半周，从而接收来自控制线的信号控制。本发明是一种关于模拟信号传输的控制电路。在控制信号u的作用下实现信号x的三种状态的传输：或者是其自身信号x通过传输门，或者是其反相信号‑x通过传输门，或者是被阻断。本发明可广泛用于模拟信号的传输控制和混沌电路等非线性电路的设计。这一控制机制比两个信号函数的相乘要直接、高效。
📄 2016103928571
📂 H03K19_0175
👤 南京信息工程大学
📅 2016-06-06
本发明公开了一种混合型CMOS‑忆阻全加器电路，包括第一阈值型忆阻器M1、第二阈值型忆阻器M2、第三阈值型忆阻器M3，第一NMOS晶体管NM1、第二NMOS晶体管NM2、第三NMOS晶体管NM3、第四NMOS晶体管NM4、第五NMOS晶体管NM5、第六NMOS晶体管NM6、第七NMOS晶体管NM7、第八NMOS晶体管NM8，第一PMOS晶体管PM1、第二PMOS晶体管PM2、第三PMOS晶体管PM3、第四PMOS晶体管PM4、第五PMOS晶体管PM5。该电路通过调节忆阻器阻态、CMOS管的导通和截止来实现全加运算的功能，电路结构简单，对忆阻数字逻辑电路的研究具有重大意义。
📄 2021104560229
📂 H03K19_017
👤 广州雏鸟信息科技有限公司
📅 2021-04-26
提供了一种数据接口、芯片和芯片系统。所述数据接口应用于发送端或者半双工通信，所述数据接口包括：第一发送电路；所述第一发送电路用于接收输入信号，并根据所述输入信号向与所述数据接口相连的对端接口的第一接收电路输出第一电流，或者根据所述输入信号从所述对端接口的所述第一接收电路接收第一电流，以在对端接口产生与所述输入信号对应的第一电压信号；其中，所述第一电流用于控制所述第一电压信号的幅值。本申请实施例提供的数据接口采用电流作为传输信号的载体，并通过单端输出的方式进行数据传输，能够有效降低数据接口的成本；并且，通过调节传送电流的大小降低传送信号量的电平幅值，能够有效降低传输损耗。
📄 2018800012734
📂 H03K19_0175
👤 深圳市汇顶科技股份有限公司
📅 2018-09-03
本发明提供一种IO端口复用的可编程熔丝修调电路系统，系统由SLEEP端口输入电路、烧写脉冲检测电路、基准与上电复位电路、编程数据解码电路、阵列熔丝参考基准电路以及N个M位阵列熔丝电路组成。可编程熔丝修调电路系统完成一次烧写后就与芯片的运作无关，故本发明的编程数据传输端口选择与SLEEP休眠控制端口进行复用，把不同幅值和脉宽的脉冲序列传送至SLEEP端口输入电路，通过烧写脉冲检测电路和编程数据解码电路，把脉冲序列解码为烧写地址信号、烧写数据信号和烧写使能信号，其具有低成本、可编程、高可靠且IO端口复用的特性。
📄 2020107436623
📂 H03K19_0175
👤 孙清珠
📅 2020-07-29
本发明公开了电子信息数据处理系统，包括信号输入电路、稳态反馈电路和稳压输出电路，所述信号输入电路接收电子信息数据处理系统中控制终端接收信号用信号传输通道输入端的信号，所述稳态反馈电路运用三极管Q2、三极管Q3和二极管D2、二极管D3组成的稳态电路对信号起到稳定的效果，然后运用运放器AR3、运放器AR2和可变电阻AR2组成的比较电路对信号进行比较处理，最后经运放器AR4同相放大后输入稳压输出电路内，所述稳压输出电路运用三极管Q5和稳压管D7组成的稳压电路稳压后输出，能够对电子信息数据处理系统中控制终端接收信号用信号传输通道输入端的信号自动校准，提高了信号的稳定性和信号传输的效率，同时提高了信号的抗干扰能力。
📄 2018108988525
📂 H03K19_0175
👤 义乌工商职业技术学院
📅 2018-08-08
本发明涉及一种像素电路，包括：第一至第六MOSFET；光电二极管(PD)，其正极接地；三极管，其发射极与第五MOSFET的栅极连接，其集电极接地。此外，本发明还涉及一种运行像素电路的方法。通过本发明，可以显著提高像素电路的电子-电压转换增益，从而明显提高像素的灵敏度。
📄 2019104561671
📂 H03K19_0175
👤 德淮半导体有限公司
📅 2019-05-29
柿子坊 · 知识产权运营
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