专利交易市场

本发明公开了一种基于忆阻器的二选一数据选择器电路，该选择器电路包括六个忆阻器和一个NMOS管，其中每两个极性相反的忆阻器串联构成与门或者或门电路，实现相应的与、或逻辑。此外，本发明还将该二选一数据选择器电路映射到忆阻器交叉阵列中。本发明所构建的二选一数据选择器电路不仅具备传统选择器的功能，而且极大减少了传统电路中的CMOS元件数量，大量采用新型元器件忆阻器，因而简化了电路结构，缩小了电路面积，此外由于忆阻器交叉阵列尺寸小，易于高密度集成，且与当前CMOS技术兼容，因此将电路映射到交叉阵列后，进一步提高了电路的集成度和可扩展性。

本发明公开了一种可编程忆阻器逻辑电路，包括第一阈值型忆阻器Ma、第二阈值型忆阻器Mb、第三阈值型忆阻器Mc、第四阈值型忆阻器Md、第一NMOS晶体管M1、第二NMOS晶体管M2、第三NMOS晶体管M3、第四NMOS晶体管M4、第五NMOS晶体管M5、第六NMOS晶体管M6、第一电阻R1和第二电阻R2、第一使能端S1、第二使能端S2和第三使能端S3。该电路通过调节使能端来实现在同一电路中完成“与”、“或”、“非”逻辑运算的功能，电路结构简单，功能调节灵活，对基于忆阻器的数字逻辑电路的研究具有重大意义。

本发明提供一种基于反铁磁斯格明子的新型逻辑门电路，以十字型反铁磁赛道为基本单元，整个赛道均为同种反铁磁材料。该逻辑门电路具有两个输入端，分别命名为输入端A和输入端B，输入端A与输入端B相邻，对应十字型赛道左端和上端的磁性隧道结，赛道右端的隧道结则为输出端。输入端A、输入端B通过局部垂直注入自旋极化电流产生反铁磁斯格明子，并利用自旋极化电流和磁晶各向异性梯度驱动斯格明子。其中，磁晶各向异性梯度由压控磁晶各向异性效应产生。本发明以斯格明子的存在与否分别代表二进制数据的“1”和“0”，充分结合斯格明子受拓扑保护作用的特点，以及反铁磁材料对外磁场不敏感的特性，使得本发明具有较强的稳定性和抗磁干扰能力。

本发明公开了一种上转换逻辑门构建方法及系统。该方法包括：制备稀土掺杂的上转换材料；获取逻辑门的基本构架以及输入，所述基本构架为所述上转换材料，所述输入为镨离子和镧系元素为输入；通过近红外激光激发所述上转换材料，得到上转换绿光和上转换红光；获取所述上转换绿光与所述上转换红光的强度比值；以所述强度比值为输出，完成上转换逻辑门的构建。本发明构建的上转换逻辑门能够更好的应用在信息传递、防伪、生物传感以及检测方面。

本发明公开一种除弹跳电路具有取样电路以及逻辑闸。取样电路用以在第一频率信号的两个相邻的上升边缘以及两个相邻的下降边缘,对输入信号进行四次取样,以决定第一输出信号、第二输出信号、第三输出信号及第四输出信号的电位。其中上述的两个相邻的上升边缘中至少有一上升边缘介于上述的两个相邻的下降边缘之间,且上述的两个相邻的下降边缘中至少有一下降边缘介于上述的两个相邻的上升边缘之间。逻辑闸则用以对第一输出信号、第二输出信号、第三输出信号及第四输出信号进行及运算(AND operation)或是进行或运算(OR operation),以输出一除弹跳信号。

本发明公开了一种基于施密特触发电路的P型半堆叠式亚阈值标准单元，包括上拉网络、下拉网络、栅极反馈PMOS堆叠模块和并联NMOS模块组，上拉网络由n个PMOS管串联构成，具有n‑1个堆叠结点，下拉网络由n个NMOS管并联构成，栅极反馈PMOS堆叠模块由n‑1个PMOS管构成，并联NMOS模块组由n‑1个并联NMOS模块构成；优点是当栅极反馈PMOS堆叠模块和并联NMOS模块组同时导通时，对n‑1个堆叠结点处电容放电，减少了上拉网络的漏电流，同时由于上拉网络、栅极反馈PMOS堆叠模块和并联NMOS模块组构成的施密特触发电路的迟滞特性，改善了电路的VTC曲线并增加了上拉网络的开关阈值，提升了稳定性与可靠性。

本发明公开了一种基于MOS管堆叠扩展结构的逻辑门电路，包括上拉网络、下拉网络、栅极反馈NMOS堆叠模块和并联PMOS模块组，上拉网络包括n个并联的PMOS管，下拉网络由n个NMOS管串联构成，栅极反馈NMOS堆叠模块由n‑1个NMOS管构成，并联PMOS模块组由n‑1个结构不同的并联PMOS模块构成，其中第j个并联PMOS模块由j个PMOS管构成，下拉网络、栅极反馈NMOS堆叠模块和并联PMOS模块组构成的施密特触发电路；优点是在亚阈值区既具有较低的漏电流和延时，又具有较高的稳定性和可靠性。

本发明公开了一种利用三相双轨预充逻辑实现的全减器，包括两个异或门、三个与非门、两个预置数/复位电路和九个缓冲器，每个异或门和每个与非门的工作逻辑分别为三相双轨预充逻辑；优点是全减器一个周期内实现一次求值运算，一个周期内分为三个阶段，当放电控制信号和预充控制信号进入低电平时，全减器进入预充阶段，当求值信号由低电平变为高电平时，全减器实现求值运算，当放电控制信号由低电平变为高电平时，全减器进入放电状态，为下一次的求值运算做好准备，在每个工作周期内输出都从预充电高电平开始放电至低电平，消耗能量恒定，具有能量消耗与所处理数据相互独立的特征，防御逆向工程攻击的同时具有抗DPA攻击的特性，功耗较低。