发明专利已授权

一种利用焦耳热制备单质硅的方法

📄 申请号：CN202111363746.5 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2021-11-17

申请人

李彬

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C01B33_023

IPC 分类号

C01B33_023 , C01B33_037 , B82Y40_00 , H01M4_38 , H01M10_0525 ,

技术画像

所属领域

硅材料硅材料电热还原冶金工艺

应用场景

半导体制造, 光伏产业, 冶金工业, 电子材料

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摘要

本发明提供了一种利用焦耳热制备单质硅的方法，属于锂离子电池负极材料制备技术领域。本发明利用焦耳热制备单质硅，焦耳热具有快速升温，快速加热的优点，并且能够保证加热的均一性，因此，本发明可快速制备单质硅。本发明得到第一粗硅后，将所述第一粗硅升温至1100～1300℃进行第二保温，可以实现副产物硅化镁分解，实现粗硅的第一次提纯，然后升温至1500～2000℃可以实现镁的快速蒸发，实现二次提纯，因此，本发明制备的单质硅具有较高的纯度，不存在后处理不安全的问题。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：20 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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