摘要
本申请涉及MXenes二维材料的制备方法技术领域，更具体地说，它涉及一种利用等离子体刻蚀和修饰技术制备终端基团可控的MXenes材料的方法。可控终端基团MXenes材料的化学组成表达式为：Mn+1XnTx，其中M代表前过渡金属元素(Sc、Ti、V、Nb、Mo等)，X代表C或/和N元素，Tx代表Cl/Br/I/N/S/P/Si等终端基团基团中的一种或多种，所述MXenes材料包括Ti3C2Tx、Ti2CTx、Ti3CNTx、Ti2NTx、Ti4N3Tx、Ti2(CN)Tx、(Ti，V)2CTx、(Ti，Nb)2CTx、(Ti，Nb)4C3Tx、(Ti,V,Zr,Nb,Ta)2CTx、TiVNbMoC3Tx、TiVCrMoC3Tx、Mo3C2Tx、Mo2CTx、Mo2NTx、Mo1.33CTx、(Mo,V)4C3Tx、(Mo2Sc)C2Tx、(Mo2Ti)C2Tx、Mo2Ti2C3Tx、(Mo4V)C4Tx、Mo1.33Y0.66CTx、V2CTx、V2NTx、V4C3Tx、Nb2CTx、Nb1.33CTx、Nb4C3Tx、(Nb,Zr)4C3Tx、Cr2CTx、(Cr2V)C2Tx、VCrCTx、(Cr2Ti)C2Tx、Ta4C3Tx、Ta2CTx、Ti4N3Tx、Ti2NTx、(Ta,Ti)3C2Tx、W1.33CTx、Zr3C2Tx、Zr2CTx、Hf3C2Tx、Hf2CTx、Hf2NTx。纯度与产率都大大提高，并且可精准调控表面终端基团。
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