发明专利已授权

一种基于应变硅技术的铁电场效应晶体管及其制备方法

📄 申请号：CN202510047982.8 📄 发布日：2026/05/07

著录项目信息

申请日

2025-01-13

公开号

CN119907268B

公开日

2025-10-31

申请人

西安石油大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H10D30_60

IPC 分类号

H10D30_60 , H10D30_01 , H01L23_29 , H01L23_31 ,

技术画像

所属领域

铁电场效应晶体管铁电场效应晶体管应变硅技术半导体器件

应用场景

集成电路, 非易失性存储器, 逻辑器件, 低功耗电子器件, 传感器

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摘要

本发明公开了一种基于应变硅技术的铁电场效应晶体管及其制备方法，该铁电场效应晶体管包括：第一掺杂类型的Si衬底；第二掺杂类型的漏区和源区，位于Si衬底的两端内，且其上表面均与Si衬底的上表面齐平；SiO2绝缘层，位于Si衬底上，且与漏区和源区接触；HZO铁电介质层，位于SiO2绝缘层上；栅电极，位于HZO铁电介质层上；源电极和漏电极，分别位于部分漏区和部分源区上；SiN层，位于剩余部分的漏区、剩余部分的源区、栅电极、源电极和漏电极上，以及SiO2绝缘层、HZO铁电介质层、栅电极、源电极和漏电极的侧壁上。本发明可以进一步提高FeFET铁电特性以及存储能力。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

基于语义分割驱动和多尺度特征交互的红外与可见光图像融合方法及系统

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📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：57 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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