铁电场效应晶体管 - 专利交易市场|柿子坊知识产权运营平台

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法律状态：全部已授权审中

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发明已授权

本发明公开了一种基于应变硅技术的铁电场效应晶体管及其制备方法，该铁电场效应晶体管包括：第一掺杂类型的Si衬底；第二掺杂类型的漏区和源区，位于Si衬底的两端内，且其上表面均与Si衬底的上表面齐平；SiO2绝缘层，位于Si衬底上，且与漏区和源区接触；HZO铁电介质层，位于SiO2绝缘层上；栅电极，位于HZO铁电介质层上；源电极和漏电极，分别位于部分漏区和部分源区上；SiN层，位于剩余部分的漏区、剩余部分的源区、栅电极、源电极和漏电极上，以及SiO2绝缘层、HZO铁电介质层、栅电极、源电极和漏电极的侧壁上。本发明可以进一步提高FeFET铁电特性以及存储能力。

📄 2025100479828 📂 H10D30_60 👤 西安石油大学 📅 2025-01-13

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一种基于应变硅技术的铁电场效应晶体管及其制备方法

2025100479828 · 西安石油大学

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