发明专利已授权

一种PMOS触发并箝拉内部电压的SCR型ESD防护器件

📄 申请号：CN201810169525.6 📄 发布日：2026/03/16

著录项目信息

申请日

2018-02-28

公开号

CN108493186B

公开日

2020-08-04

申请人

南京邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L27_02

IPC 分类号

H01L27_02

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件集成电路静电防护

应用场景

集成电路静电防护, 芯片级ESD保护, 消费电子产品, 汽车电子, 通信设备

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摘要

本发明涉及一种PMOS触发并箝拉内部电压的SCR型ESD防护器件，针对SCR结构，在N阱中添加PMOS结构，并将PMOS漏端与P阱相连接，在正向ESD脉冲下，PMOS较反向PN结更早击穿，并通过漏端P+将电流传递到P阱，抬高P阱电位，使寄生NPN管更快开启，降低器件触发电压；另外器件内部增加了可以箝拉内部电压的新寄生晶体管，抑制正反馈机制，使器件的维持电压得到提高。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：97 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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