发明专利已授权

一种利用MPCVD制备碳化钼晶体时钼的引入方法

📄 申请号：CN201610390376.7 📄 发布日：2025/11/14

著录项目信息

申请日

2016-06-03

公开号

CN105862131A

公开日

2016-08-17

申请人

武汉工程大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C30B29_36

IPC 分类号

C30B29_36 , C30B25_02 ,

技术画像

所属领域

碳化钼碳化钼化学气相沉积晶体材料

应用场景

催化材料, 硬质涂层, 电子器件, 能源材料

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摘要

本发明属于二维晶体制备领域。一种利用MPCVD制备碳化钼晶体时钼的引入方法，其特征在于包括如下步骤：第一步，首先将硅片进行超声波清洗，然后将清洗后的硅片放入基片台上，基片台位于腔体内，对腔体抽真空；第二步，向腔体通入氢气和甲烷，调节气体流量、微波功率和气压，使气体吸收微波能量产生等离子体；第三步，打开脉冲电源，调节腔体中钼电极和基片台之间的电压，使钼电极和基片台之间产生弧光放电，调节脉冲的时间控制弧光的产生时间；第四步，待反应结束后，关闭脉冲电源，待腔体内腔室冷却后，取出样品，得到碳化钼晶体。该方法解决了微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)中钼引入较难的问题，并且能够较好的控制钼的摄入量，获得较纯的碳化钼晶体。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20240105

⏳ 专利权质押合同登记的生效：

20230815

⏳ 专利权人的姓名或者名称、地址的变更：

20230110

?? 专利权的转移：

20220104

?? 专利权的转移：

20180501

✅ 授权

20160914

?? 实质审查的生效：

20160817

📄 公开

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