发明专利已授权

一种垂直结构的发光二极管

Name: 一种垂直结构的发光二极管
Brand: 广东工业大学
SKU: 2017112949603
Availability: InStock

📄 申请号：CN201711294960.3 📄 发布日：2025/10/23

著录项目信息

申请日

2017-12-08

公开号

CN107958900B

公开日

2023-09-12

申请人

广东工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L25_075

IPC 分类号

H01L25_075 , H01L33_06 , H01L33_14 , H01L33_20 , H01L33_36 ,

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件发光二极管光电子器件

应用场景

半导体照明, 显示设备, 光通信

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摘要

本发明公开了一种垂直结构的发光二极管，该发光二极管包括：衬底；设置在衬底上的第一缓冲层、第二缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱结构层、电子屏蔽层、p型GaN层、透明导电薄膜层；贯穿透明导电薄膜层、p型GaN层、电子屏蔽层、多量子阱结构层、n型GaN层，直至暴露出未掺杂GaN层的第一凹槽，第一凹槽的第一表面与衬底成预设角度，第一凹槽的第二表面与所述衬底垂直；沿着第一表面贯穿未掺杂GaN层、第二缓冲层、第一缓冲层、衬底的通孔；设置在第一表面以及通孔上的反光层、绝缘层、第一金属导电层；贯穿衬底、第一缓冲层、第二缓冲层，直至暴露出n型GaN层的第二凹槽。该发光二极管满足大功率照明要求。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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