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| 专利/申请号： | CN201711294960.3 | 专利名称： | 一种垂直结构的发光二极管 |
| 申请日： | 2017-12-08 | 申请/专利权人 | 广东工业大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 广东省广州市番禺区大学城外环西路100号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L25/075 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2023-09-12 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN107958900B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 3 | 所属领域： | 发光二极管制造技术 半导体器件结构设计专利转让搜索 |
应用场景：通用照明设备;高亮度显示模块;低热阻散热应用场景
摘 要：本发明公开了一种垂直结构的发光二极管，该发光二极管包括：衬底；设置在衬底上的第一缓冲层、第二缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱结构层、电子屏蔽层、p型GaN层、透明导电薄膜层；贯穿透明导电薄膜层、p型GaN层、电子屏蔽层、多量子阱结构层、n型GaN层，直至暴露出未掺杂GaN层的第一凹槽，第一凹槽的第一表面与衬底成预设角度，第一凹槽的第二表面与所述衬底垂直；沿着第一表面贯穿未掺杂GaN层、第二缓冲层、第一缓冲层、衬底的通孔；设置在第一表面以及通孔上的反光层、绝缘层、第一金属导电层；贯穿衬底、第一缓冲层、第二缓冲层，直至暴露出n型GaN层的第二凹槽。该发光二极管满足大功率照明要求。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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