发明专利已授权

图像传感器及其形成方法

📄 申请号：CN201910143681.X 📄 发布日：2026/01/08

著录项目信息

申请日

2019-02-25

公开号

CN109904183A

公开日

2019-06-18

申请人

德淮半导体有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L27_146

IPC 分类号

H01L27_146

技术画像

所属领域

图像传感器图像传感器半导体器件半导体制造工艺

应用场景

消费电子, 智能安防, 机器视觉, 车载成像, 医疗影像

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摘要

一种图像传感器及其形成方法，图像传感器包括：半导体衬底；位于半导体衬底中的溢出栅极结构，所述溢出栅极结构具有相对的第一侧和第二侧；位于所述溢出栅极结构的第一侧半导体衬底中的溢出漏区，所述溢出漏区适于电学连接电源线；二极管掺杂层，所述二极管掺杂层位于溢出栅极结构的第二侧半导体衬底中；位于所述溢出栅极结构底部半导体衬底中的附加浮空扩散区，所述附加浮空扩散区与二极管掺杂层相互分立且和溢出漏区相互分立。所述图像传感器的性能得到提高。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20250926

⏳ 专利实施许可合同备案的注销：

20250110

⏳ 专利实施许可合同备案的生效：

20230804

?? 专利权的转移：

20210831

✅ 授权

20190712

?? 实质审查的生效：

20190618

📄 公开

图像传感器及其形成方法和工作方法

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