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发明专利
已授权
一种气相二氧化硅的合成工艺
📄 申请号:CN202010155956.4
📄 发布日:2026/04/03
著录项目信息
申请日
2020-03-09
公开号
CN111268685A
公开日
2020-06-12
申请人
邓咏兰
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
C01B33_18
IPC 分类号
C01B33_18
,
B82Y30_00
,
技术画像
所属领域
气相二氧化硅
气相二氧化硅
粉体材料
化工合成工艺
应用场景
橡胶补强, 涂料增稠, 电子封装材料, 保温隔热材料, 化工填料
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摘要
本发明具体涉及一种气相二氧化硅的合成工艺,步骤如下:1)原料的制备:将含无机硅和/或无机硅化合物的废料制成膏状固态,加入冶金助剂捏合造粒,烘干成原料颗粒备用;2)纳米二氧化硅的制备:根据上述原料颗粒含硅成分的组成相应调整生产装置的能量输入和气氛条件,通过两段反应区,原料颗粒在高温空气等离子体下反应,形成气相二氧化硅,载气中形成的二氧化硅气溶胶离开反应区后快速急剧冷却,使气溶胶成核凝聚成纳米级二氧化硅;3)成核的纳米级二氧化硅随载气进入多级旋风分离器和金属网过滤器,分离分类成不同等级的产品;4)反应区中未带出的其他物质形成液态熔渣排出另行利用。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
一种利用硅生产回收的粉尘制备二氧化硅的方法
当前第 / 件
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