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发明专利
已授权
一种热电子晶体管的制备方法及用其制备的热电子晶体管、应用及应用的方法
📄 申请号：CN202210895522.7
📄 发布日：2026/04/27
著录项目信息
申请日
2022-07-26
公开号
CN115425144A
公开日
2022-12-02
申请人
安庆师范大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
H01L51_05
IPC 分类号
H01L51_05
,
H01L51_40
,
H01L51_10
,
H01L51_30
,
G01R31_26
,
技术画像
所属领域
半导体器件
半导体器件
晶体管
微电子技术
应用场景
集成电路, 高频电子器件, 太赫兹通信, 红外探测, 量子器件
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摘要
本发明公开一种热电子晶体管的制备方法及用其制备的热电子晶体管、应用及应用的方法，涉及有机电子学技术领域。该热电子晶体管主要由发射电极、金属氧化物绝缘层、基电极、有机半导体以及收集电极等五部分组成。其中，发射电极、金属氧化物绝缘层以及基电极所组成的隧道结是一种有效的载流子能量调节器。有益效果：本发明提供了一种新型的热电子晶体管，通过器件结构的设计、每一层材料的选择、制备工艺的优化，提高了热电子晶体管的载流子能量分辨率，通过测试获得的IC‑hot‑VEB曲线监控有机电子器件中载流子的输运过程，精准地提取了器件中金属与有机半导体形成的势垒。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
20240503
✅ 授权
20221220
?? 实质审查的生效 ：
20221202
📄 公开
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委托待转让
📌 交易状态：
在售
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📋 项目申报：
未申报
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